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drain

  • VK3708BM/VK3710IM多按键高抗干扰防水积水可操作触摸触控

    产品型号(封装形式): VK3702DM      VK3702TM      VK3702OM——(SOP8 )     VK3706OM      VK3706OM     VK3706DM     VK3708BM     VK3710IM——(SOP16) 产品品牌:VINTEK/元泰                产品年份:新年份 深圳永嘉微电原厂直销,大量现货更有优势!让您的生产高枕无忧。 联系人:许硕  QQ:191 888 5898  TEL:188 9858 2398(微信)   ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產品描述 VK3702DM提供2個觸摸感應按鍵,一對一直接輸出,提供低功耗模式,可使用於電池應用的產品。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現。   ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●  產品描述   VK3702TM提供 2 個觸摸感應按鍵,一對一的 Toggle 模式輸出,提供低功耗模式,可使用於電池應用的產品。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現 ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產品描述 VK3702OM提供 2 個觸摸感應按鍵,一對一直接輸出,輸出為開漏(open drain)型態,適合作 AD 鍵。提供低功耗模式,可使用於電池應用的產品。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現。 ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產品描述  VK3706OM提供6個觸摸感應按鍵,一對一直接輸出,輸出為開漏(open drain)型態,適合作AD鍵。提供低功耗模式,可使用於電池應用的產品。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產品描述 VK3706DM提供6個觸摸感應按鍵,一對一直接輸出,提供低功耗模式,可使用於電池應用的產品。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產品描述 VK3708BM提供8個觸摸感應按鍵,二進制(BCD)編碼輸出,具有一個按鍵承認輸出的顯示,按鍵後的資料會維持到下次按鍵,可先判斷按鍵承認的狀態。提供低功耗模式,可使用於電池應用的產品。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產品描述 VK3710IM提供10個觸摸感應按鍵及兩線式串列界面,並有中斷輸出INT腳與MCU聯繫。提供低功耗模式,可使用於電池應用的產品。特性上對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! 我们的优势   1:我司为VINTEK/台湾元泰半导体股份有限公司/VINKA的授权大中华区代理商,产品渠道正宗,确保原装,大量库存现货! 2:公司工程力量雄厚,真诚技术服务支持,搭配原厂服务各种应用产品客户。 3:好价格源自连接原厂直销,你有量,我有价,确保原装的好价格。 优势代理元泰VKD常用触控按键IC,简介如下: 标准触控IC-电池供电系列 VKD223EB --- 工作电压/电流:2.0V-5.5V/5uA-3V    感应通道数:1     通讯接口 更长响应时间快速模式60mS,低功耗模式220ms     封装:SOT23-6 VKD223B ---   工作电压/电流:2.0V-5.5V/5uA-3V    感应通道数:1     通讯接口 更长响应时间快速模式60mS,低功耗模式220ms     封装:SOT23-6 VKD232C  --- 工作电压/电流: 2.4V-5.5V/2.5uA-3V   感应通道数:2封装:SOT23-6  通讯接口:直接输出,低电平有效  固定为多键输出模式,內建稳压电路  VKD233DH(更小体积2*2)---工作电压/电流: 2.4V-5.5V/2.5uA-3V  1按键  封装:DFN6L 通讯接口:直接输出,锁存(toggle)输出   有效键更长时间检测16S VKD233DB(推荐) --- 工作电压/电流: 2.4V-5.5V/2.5uA-3V  1感应按键  封装:SOT23-6  通讯接口:直接输出,锁存(toggle)输出   低功耗模式电流2.5uA-3V VKD233DH(推荐)---工作电压/电流: 2.4V-5.5V/2.5uA-3V  1感应按键  封装:SOT23-6 通讯接口:直接输出,锁存(toggle)输出   有效键更长时间检测16S   标准触控IC-多键触摸按钮系列 VKD104SB/N --- 工作电压/电流:2.4V-5.5V/13uA-3V       感应通道数/按键数:4 通讯接口:直接输出,锁存输出,开漏输出    封装:SSOP-16 VKD104BC  --- 工作电压/电流:2.4V-5.5V/13uA-3V       感应通道数/按键数:4 通讯接口:直接输出,锁存输出,开漏输出   封装:SOP-16 VKD104BR  --- 工作电压/电流:2.4V-5.5V/13uA-3V       感应通道数/按键数:2 通讯接口:直接输出, toggle输出        封装:SOP-8 VKD104QB  --- 工作电压/电流:2.4V-5.5V/13uA-3V       感应通道数/按键数:4 通讯接口:直接输出,锁存输出,开漏输出   封装:QFN-16 VKD1016B  --- 工作电压/电流:2.4V-5.5V/20uA-3V       感应通道数/按键数:16-8 通讯接口:直接输出,锁存输出,开漏输出   封装:SSOP-28 VKD1016L  --- 工作电压/电流:2.4V-5.5V/20uA-3V       感应通道数:16-8 通讯接口:直接输出,锁存输出,开漏输出   封装:SSOP-28   (元泰原厂授权 原装保障 工程技术支持 大量现货库存) 标准触控IC-VK36系列 VK3601SS --- 工作电压/电流:2.4V-5.5V/1mA-5.0V      感应通道数:1 通讯接口:1 INPUT/1PWM OUT            封装:SOP-8 VK3601S  --- 工作电压/电流:2.4V-5.5V/4mA-3.3V      感应通道数:1 通讯接口:1 INPUT/1PWM OUT            封装:SOP-8   VK3602XS --- 工作电压/电流:2.4V-5.5V/ 60uA-3V       感应通道数:2 通讯接口:2对2 toggle输出            封装:SOP-8 VK3602K  --- 工作电压/电流:2.4V-5.5V/ 60uA-3V       感应通道数:2 通讯接口:2对2 toggle输出            封装:SOP-8 VK3606DM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:6 通讯接口:1对1直接输出              封装:SOP-16 VK3606OM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:6 通讯接口:1对1开漏输出              封装:SOP-16 VK3608BM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:6 通讯接口:BCD码直接输出              封装:SOP-16 VK3610IM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:6 通讯接口:SCL/SDA/INT通讯口          封装:SOP-16   标准触控IC-VK37系列 VK3702DM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:2 通讯接口:1对1直接输出             封装:SOP-8 VK3702OM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:2 通讯接口:1对1开漏输出             封装:SOP-8 VK3702TM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:2 通讯接口:1对1toggle输出           封装:SOP-8 VK3706DM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:6 通讯接口:1对1直接输出             封装:SOP-16 VK3706OM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:6 通讯接口:1对1开漏输出             封装:SOP-16 VK3708BM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:8 通讯接口:BCD码直接输出             封装:SOP-16 VK3710IM --- 工作电压/电流:3.1V-5.5V/ 3mA-5V       感应通道数:10 通讯接口:SCL/SDA/INT通讯口          封装:SOP-16   标准触控IC-VK38系列 VK3809IP --- 工作电压/电流:2.5V-5.5V/1.1mA-3V       感应通道数:9 通讯接口:IIC/INT通讯口              封装:SSOP-16 VK3813IP --- 工作电压/电流:2.5V-5.5V/1.1mA-3V       感应通道数:13 通讯接口:IIC/INT通讯口              封装:SSOP-20 VK3816IP --- 工作电压/电流:2.5V-5.5V/1.1mA-3V       感应通道数:16 通讯接口:IIC/INT通讯口              封装:SSOP-28 VK3816IP-A --- 工作电压/电流:2.5V-5.5V/1.1mA-3V     感应通道数:16 通讯接口:IIC/INT通讯口              封装:SSOP-28     以上介绍内容为IC参数简介,难免有错漏,且相关IC型号众多,未能一一收录。欢迎联系索取完整资料及样品!    生意无论大小,做人首重诚信!本公司全体员工将既往开来,再接再厉。争取为各位带来更专业的技术支持,更优质的销售服务,更高性价比的好产品.竭诚希望能与各位客户朋友深入沟通,携手共进,共同成长,合作共赢!谢谢。  

    标签: VK 3708 3710 BM IM 多按键 抗干扰 防水 操作 触控

    上传时间: 2019-07-10

    上传用户:szqxw1688

  • 6 KEYS 高抗干扰并防水電容式觸摸按鍵VK3606OM SOP16

    一.產品描述 提供6個觸摸感應按鍵,一對一直接輸出,輸出為開漏(opendrain)型態,適合作AD鍵。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現!   二。產品特色 1.工作電壓範圍:3.1V – 5.5V 2.工作電流: 3mA@5V 3.6 個觸摸感應按鍵 4.提供一對一的直接輸出,未按鍵為開漏(open drain)型態輸出,按鍵時為低電平。 5.可以經由調整 CAP 腳的外接電容,調整靈敏度,電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別 7.內建 LDO 增加電源的抗干擾能力   三。 產品應用 各種大小家電,娛樂產品   四.功能描述 1.VK3606OM 於手指按壓觸摸盤,在 60ms 內輸出對應按鍵的狀態。 2.單鍵優先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經承認了, 需要等K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認,同時間只有一個按鍵狀態會被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續超過 10 秒, 就會做復位。 4.環境調適功能,可隨環境的溫濕度變化調整參考值,確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異,對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤,仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”,若如此則如同手按鍵一般,會有按鍵承認輸出。 6.內建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序,對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.K0~K5 中不使用的按鍵請接地,避免太過靈敏而產生誤動。 8.D0~D5 中不使用的輸出請接地,避免浮接會有漏電流的情 況。

    标签: KEYS 3606 SOP 16 VK OM 抗干扰 防水

    上传时间: 2019-08-08

    上传用户:szqxw1688

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程

    标签: Protection CMOS ESD ICs in

    上传时间: 2020-06-05

    上传用户:shancjb

  • PW4055_2.0.pdf规格书下载

    The PW4055 is a complete constant-current /constant-voltage linear charger for single cell lithiumion batteries.Its ThinSOT package and low external component count make the PW4055 ideallysuited for portable applications.Furthermore, the PW4055 is specifically designed to work within USBpower specifications.The PW4055 No external sense resistor is needed, and no blocking diode is required due to theinternal MOSFET architecture.Thermal feedback regulates the charge current to limit the dietemperature during high power operation or high ambient temperature. The charge voltage is fixedat 4.2V, and the charge current can be programmed externally with a single resistor. The PW4055automatically terminates the charge cycle when the charge current drops to 1/10th the programmedvalue after the final float voltage is reached. When the input supply (wall adapter or USB supply) isremoved, the PW4055 automatically enters a low current state, dropping the battery drain currentto less than 2µA. The PW4055 can be put into shutdown mode, reducing the supply current to 25µA.The BAT pin has a 7KV ESD(HBM) capability. Other features include charge current monitor, undervoltage lockout, automatic recharge and a status pin to indicate charge termination and the presenceof an input voltage

    标签: pw4055

    上传时间: 2022-02-10

    上传用户:jason_vip1

  • MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制

    设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.

    标签: mosfet

    上传时间: 2022-04-01

    上传用户:默默