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铁电随机存储器(FRAM)是一种结合了RAM与ROM优点的非易失性存储技术,以其高速读写、低功耗及高耐久性著称。广泛应用于需要频繁数据记录且对能耗敏感的领域,如智能仪表、医疗设备及汽车电子等。通过深入研究FRAM的工作原理与设计方法,工程师们能够开发出更加高效可靠的嵌入式系统解决方案。本页面汇集了5739份精选资源,涵盖从基础理论到高级应用的全方位知识体系,是您学习和掌握这一前沿技术的理想平台。

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fm1808中文资料 描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体 铁电随机 存储器 FRAM 是一种具有非易失 性 并且可以象RAM一样快速读写 但 它没有BBSRAM模组系统的设计复杂 性 缺点和相关的可靠性问题 数据在 掉电可以保存10年 高速写以及...

📅 👤 zhangjinzj

[AN225301]使用Excelon LP SPI F-RAM低功耗模式进行设计铁电随机存储器(F-RAM),相对于其它类型的半导体技术而言,铁电随机存储器(F-RAM)具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类:易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器(SRAM)和动...

📅 👤 20125101110

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