路径损耗
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查看全部 500 份 →IGBT损耗计算和损耗模型研究
IGBT损耗计算和损耗模型研究:器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要。损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的IGBT损耗模
2024-05-07
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无源无损耗缓冲电路分析
双管籍位正激变换器是一种常用的电路拓朴。本文详尽地分析了一种双管籍位正激变换器的无源无损耗缓冲电路的工作原理及工作过程,指出正确选择缓冲电路的参数的理论依据
2024-12-14
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MOSFET开关损耗分析
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计...
2023-01-26
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