搜索：vds
找到约 6 项符合「vds」的查询结果
结果 6
https://www.eeworm.com/dl/831320.html
技术资料
MOS管的米勒效应-讲的很详细
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还 ...
https://www.eeworm.com/dl/856610.html
技术资料
稳压双隔离双输出DCDC模块
VDS 系列 VDxxxxxxS-xW 3KVDC 隔离 0.1W ～2W 带自恢复短路保护
稳压双隔离双输出SIP10 脚封装
https://www.eeworm.com/dl/571/21380.html
模拟电子
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关 ...
https://www.eeworm.com/dl/996027.html
技术资料
模拟CMOSIC学习总结
1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大 ...
https://www.eeworm.com/dl/839556.html
技术资料
20kW全桥谐振LLC转换器
此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极 ...
https://www.eeworm.com/dl/562/34565.html
传感与控制
LVDS和TTL板的接口定义及连接原理图
LVDS和TTL板的接口定义及连接原理图：
TTL板与LVDS 相同
一、接口定义：
１、 LCD MODULE与驱动板之间的信号线接口定义如下：VDS接口又称RS-644总线接口，是20世纪90年代才出现的一种数据传输和接口技术。LVDS即低电压差分信号，这种技术的核心是采用极低的电压摆幅高速差动传输数据，可以实现点对点或 ...