MOSFET和IGBT区别
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了....
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了....
引言开关电源(SMPS:Switch Mode Power Supply)是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时问比率,维持稳定输出电压的一种电源·非隔离式DC/DC变换具有六种基本拓扑结构:降压(Buck)变换器升压(Boost)变换器极性反转升降压(Buck2Boost)变换器Cuk(...