silvaco
共 19 篇文章
silvaco 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 19 篇文章，持续更新中。
SILVACO_TCAD介绍
想快速上手TCAD仿真？这份资料详解SILVACO_TCAD的核心功能与应用场景，适合需要提升半导体器件仿真实践能力的开发者。
TCAD资料
silvaco器件仿真，可以对所有的半导体器件仿真。
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学习silvacotcad很好的资料，中文的
silvaco_TCAD_仿真速成手册
silvaco_TCAD_仿真速成手册,各种微器件的仿真
silvaco中文使用手册
silvaco中文使用手册，该软件的基本功能描述和实例，教会你迅速使用该软件。
silvaco_TCAD_training
可用于silvaco的学习资料，步骤详细，共计117页。高校里用的资料。
silvaco学习教程
silvaco为功能强大的半导体工艺、器件仿真软件，本书为silvaco详细教程
半导体工艺和器件仿真软件SilvacoTCAD实用教程 [唐龙谷 编著] 2014年版
<p>为了满足半导体工艺和器件及其相关领域人员对计算机仿真知识的需求，帮助其掌握当前先进的计算机仿真工具，特编写《半导体工艺和器件仿真软件Silvaco TCAD实用教程》。《半导体工艺和器件仿真软件Silvaco TCAD实用教程》以SilvacoTCAD2012为背景，由浅入深、循序渐进地介绍了SilvacoTCAD器件仿真基本概念、Deckbuild集成环境、Tonyplot显示工具、ATH
SILVACO版图编辑器Expert
<p>该文档为SILVACO版图编辑器Expert总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看，，，，，，，，，，，，，，，，，</p>
集成电路设计制造中EDA工具实用教程
<p>《集成电路设计制造中EDA工具实用教程》共17章，分为三个部分。第一部分介绍半导体工艺和半导体器件仿真工具，分别介绍了Synopsys公司的TSUPREM4/MEDICI，ISE TCAD和Silvaco公司的Athena/Atlas等TCAD工具及其使用，并以ESD静电放电防护器件的设计及验证为实例介绍这些软件工具的应用。第二部分介绍了模拟集成电路设计工具的应用，辅以典型模拟IC电路的设计
半导体仿真工具 silvaco tcad 学习资料
<p>接触Silvaco TCAD仿真软件已经有很长时间了，这期间还熟悉了一下ISE TCAD。学习的过程中，老师、师兄姐和同学给了我极大的帮助。这本书的主旨就是希望提供一些对于Silvaco仿真的可资借鉴的经验。学习和使用Silvaco的时候各人的视角会不一样，虽然这本书只是介绍一些常用的仿真，例句也有限，但因为流程控制和语法都有相通的地方，完全可以参照本书和手册的说明灵活地建立仿真以及仿真一些
Silvaco电子书
Silvaco电子书中文版，现代电子工业飞速发展，极大地改善了人们的生产和生活。半导体器件的持续改进、完<br />
善以及不断涌现的新器件促使电子工业加速发展。但激烈的竞争也让半导体行业倍感压力。<br />
由于技术更新快，设备和原材料的投入相当巨大，现在建立一条生产线动辄要数亿美元。对 高技术人才的要求也是前所未有的。 <br />
silvaco中英文资料
<span style="font-family:Verdana, Geneva, sans-serif;line-height:normal;white-space:normal;background-color:#F5F5F5;">silvaco中英文资料全集，主要是例子的详细讲解</span>
半导体仿真工具Silvaco TCAD学习资料
半导体仿真工具Silvaco TCAD学习资料，中文，第1章 仿真准备，第2章 二维工艺仿真，<span style="white-space:normal;">第3章 二维器件仿真，<span style="white-space:normal;">第4章 </span>高级的特性，附录A 材料系统，附录B 物理</span>
tft仿真相关教程（silvaco)
silvaco仿真相关 tft仿真教程 atlas 2D仿真器
silvaco教程
如题，silvaco教程，但是繁体字的。。。
现代快恢复二极管设计方法的研究
<span id="LbZY">基于改善快恢复二极管的的动态特性，通过对二极管的横、纵向参数来进行分析，理论上提出了快恢复二极管的设计方法，并且结合SILVACO-TCAD仿真软件进行验证；得出了现代快恢复二极管应降低阳极浓度、减小基区少子寿命，采用加缓冲层的结论；这种结构极大的改善了快恢复二极管的正向导通特性，达到了优化动态特性的目的。</span><br />
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N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
<span id="LbZY"> N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。<b
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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