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共 53 篇文章
sic 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 53 篇文章，持续更新中。
你一定需要！2019最新门极驱动选型指南
<p>英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019</p><p>门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。</p><p>每一个功率器件都需要一个门
RDHP-1901 - SCALE-iDriver SIC1182K的通用基板
<p>RDHP-1901 - SCALE-iDriver SIC1182K的通用基板：下载设计</p><p><br/></p>
SiC8051F_uVision C8051F系列Keil驱动
<p>C8051F系列在Keil软件上的驱动库，可以搭配U-EC5等调试器使用，开发C8051F单片机必备！</p>
SiC功率半导体器件的优势和发展前景(刘)(2015)
<p>该文档为SiC功率半导体器件的优势和发展前景(刘)(2015)总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………</p>
SiC功率半导体器件发展历程 优势和发展前景
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SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解
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SiC 功率器件・模块 应用笔记
<p>本应用笔记详细记载了关于罗姆的SiC 器件的特性及使用方法。从分立器件到模块，面向各种应用，SiC器件的优势和使用上的注意点，从初次接触SiC器件到熟知产品的各位，都可以得到应用和帮助</p>
SIC780驱动电路方案设计（pcb）
<p>SIC780驱动电路方案设计（pcb）SIC780驱动电路方案设计（pcb）SIC780驱动电路方案设计（pcb）</p>
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
<p>半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试</p><p>宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。</p><p>四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，<br/>对样品形状没有要求， 且不需要测量样品所有尺寸， 但需满足
基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器
<p>基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 分享一个基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 Demo</p>
SiC功率半导体器件的优势及发展前景总结
<p>该文档为SiC功率半导体器件的优势及发展前景总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………</p><p><br/></p><p><br/></p>
SiC功率半导体器件发展历程 优势和发展前景讲解
<p>该文档为SiC功率半导体器件发展历程、优势和发展前景概述文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………</p>
BTS7960大功率直流电机驱动板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件 2层板设计 大小为66 7
<p>BTS7960大功率直流电机驱动板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件,2层板设计，大小为66*76mm, 包括完整的原理图和PCB工程文件，可以做为你的设计参考。主要器件如下：</p><p>Library Component Count : 13</p><p><br/></p><p>Name
基于NE555设计的声音传感器模块ALTIUM硬件原理图+PCB文件
<p>基于NE555设计的声音传感器模块ALTIUM硬件原理图+PCB文件，</p><p>2层板设计，大小为29x30mm，Altium Designer 设计的工程文件，包括原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你的产品设计的参考。</p><p>主要器件型号列表如下：</p><p>Library Component Count : 8</p><p><br/></p>
SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装
<p>ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。关于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列
智能汽车时代_功率半导体的发展新机遇-210603
<p>电动汽车、SiC功率管发展趋势<br/></p>
VISHAY SIC461 datasheet
威世的DC芯片SIC46X手册，4.5v-60V输入，最大10A输出，东西很好用
GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC
GaN is an already well implanted semiconductor<br />
technology, widely diffused in the LED optoelectronics<br />
industry. For about 10 years, GaN devices have also been<br />
developed for RF wirele
Full-Duplex+Small+Cells
The recent developments in full duplex (FD) commu-<br />
nication promise doubling the capacity of cellular networks using<br />
self interference cancellation (SIC) techniques. FD small cells<br />
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论文仿真原型程序,仿真四种（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的检测性能
论文仿真原型程序,仿真四种（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的检测性能，绘制误比特率～信噪比曲线。
发端初始化===============================================================
发射天线数tx,接收天线数rx,发射矩阵长度L(帧长)