CMOS模拟集成温度传感器的设计
本文先设计了一种高性能的CMOS模拟集成温度传感器，并在电路中设计了ESD保护电路和启动电路，以保证电路工作点正常与性能优良。该电路具有结构简单、工作电压低、电源抑制比高和线性度良好的特点。采用HSPICE对该温度传感器电路进行了模拟仿真，仿真结果表明其电源抑制比可以达到64dB，在-50℃~150...
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PN结作为半导体技术的核心基础，是理解二极管、晶体管等电子元件工作原理的关键。通过本页面丰富的487个资源，您将深入了解PN结的形成机制、电流-电压特性及其在光电转换、信号处理等领域的广泛应用。无论是初学者还是经验丰富的工程师，这里都是深化知识、激发创新灵感的理想之地。立即访问，开启您的半导体技术探索之旅！
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p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意...
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