家电维修相关专辑 88册 9.18G海尔29F3A-P.rar
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
_RCD箝位反激变换器的研究.p
标签： RCD箝位 反激变换器
上传时间： 2016-03-31
上传用户：an1850329665
P-Ⅲ型频率分析计算，按照模板导入频率原始数据，自动生成频率曲线
上传时间： 2019-11-17
上传用户：zghbxb
The “bottom-line” metrics of cash flow, demand, price, and return on investment are driven by a second set of financial metrics represented by value to the customer, cost, and the pace of innovation. Get them right relative to competition and impressive bottom-line results should follow. Because of their importance, we call value to the customer, variable cost, and the pace of innovation the “fundamental metrics.”
标签： Planning Product Systems Driven Value and
上传时间： 2020-06-06
上传用户：shancjb
P系列：电话传输质量、电话设施及本地线路网络 质量的客观和主观评定方法
上传时间： 2020-06-10
上传用户：sdasdas123344
该文档为PID控制中P、I、D参数的作用是什么简介文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： pid
上传时间： 2021-11-30
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基于F-P光纤干涉仪的压力传感器
上传时间： 2022-01-18
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Schaevitz-金属应变式压力传感器-P-1600系列
标签： 压力传感器
上传时间： 2022-01-21
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CMOS.Analog.Circuit.Design.2e.by.P.E.Allen模拟集成电路的三大圣经之一
标签： 模拟电路
上传时间： 2022-05-04
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
上传用户：wangshoupeng199
