📚 p-si-lcd技术资料

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在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意...

📅 👤 summery

  讨论了高速PCB 设计中涉及的定时、反射、串扰、振铃等信号完整性( SI)问题,结合CA2DENCE公司提供的高速PCB设计工具Specctraquest和Sigxp,对一采样率为125MHz的AD /DAC印制板进行了仿真和分析,根据布线前和布线后的仿真结果设置适当的约束条件...

📅 👤 zhang97080564

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