p-n结
共 8 篇文章
p-n结 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 8 篇文章，持续更新中。
SIMATIC逻辑堆栈指令
9.16 SIMATIC 逻辑堆栈指令<BR>栈装载与 (ALD)<BR>ALD 指令对堆栈中的第一层和第二层的值进行逻辑与操作结<BR>果放入栈顶执行完 ALD 指令后堆栈深度减 1<BR>操作数 无<BR>栈装载或 (OLD)<BR>OLD 指令对堆栈中的第一层和第二层的值进行逻辑或操作<BR>结果放入栈顶执行完 OLD 指令后堆栈深度减 1<BR>操作数 无<BR>逻辑推入栈<BR>LPS
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
电位计讯号转换器
电位计讯号转换器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1．产品说明 AT系列转换器/分配器主要设计使用于一般讯号迴路中之转换与隔离；如 4~20mA、0~10V、热电偶(Type K, J, E, T)、热电阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、电位计(三線式)、电阻(二線式)及交流电压/电流等讯号，机种齐全。 此款薄型设计的转换器/分配器，除了能提供两组讯号输出（输出间隔离）或24V激发电源供传送器
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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适合过程控制应用的完全可编程通用模拟前端
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本电路针对过程控制应用提供一款完全可编程的通用模拟前端(AFE)，支持2/3/4线RTD配置、带冷结补偿的热电偶输入、单极性和双极性输入电压、4 mA至20 mA输入，串行控制的8通道单刀单掷开关ADG1414用于配置选定的测量模式。
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
二极管与三极管的flash动画
pn结的形成及三极管的工作原理动画
基于PN结的热电偶补偿电路设计
分析了几种常用的热电偶冷端补偿方法的优缺点，根据1N4148在恒流条件下其管压降与温度的线性关系设计了一种基于PN结的热电偶冷端补偿电路。该补偿方法具有成本低、精度高、通用性强等优点，该电路可以对不同型号的热电偶进行冷端补偿，同时具有断偶检测功能。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12032Q51Q6163.jp