一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计
利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2 μA;相位...
利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2 μA;相位...
为了产生驱动多幅闪光照相的高重频猝发高压电脉冲,开展了基于硅堆隔离的猝发高压脉冲发生装置的可行性研究。对普通整流硅堆脉冲条件的导通电流,反向关断时间进行了实验研究;采用脉冲形成线产生矩形脉冲,利用不同长度传输线的传输时延产生多脉冲,以硅堆隔离的方式实现多脉冲在负载的输出。研究表明:硅堆在500 ns...
本文主要介绍在GOLD4P上实现的独有的无间断双电源切换功能,现在为止,我们还没有发现有谁家的USB HUB在产品上实现了NS级的无缝双电源切换功能。要讲清这个问题,得先从这个问题的最基本说起。...
研究领域:电源管理IC、功率IC 涉及厂商:Fairchild、ST、NS、Onsemiconductor、Linear和Maxim等 报告推荐 2009年,受国际金融危机和行业不景气的双重冲击,全球电源管理芯片市场规模出现超过10%的大幅下滑,中国电源管理芯片市场也首次出现负增长。虽然整...
研究领域:电源管理芯片、功率IC、功率器件 涉及厂商:TI、NS、Fairchild、OnSemiconductor等 报告推荐 和往年一样,在下游产品产量的不断增加以及节能需求的不断提高等因素的刺激下,2006年中国电源管理芯片市场依然保持快速发展的势头。为了全面而准确的反映中国电源管理...