为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计，整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺完成版图设计，并在一款多功能数字芯片上使用，版图面积为1 mm×1 mm，并参与MPW（多项目晶圆）计划流片，流片测试结果表明，在输出负载很大时，本设计能提供足够的驱动电流，同时延迟时间短、并占用版图面积小。
上传时间： 2013-10-08
上传用户：小鹏
采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 μm 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：kangqiaoyibie
The STM32F10xxx microcontroller family embeds up to three advanced 12-bit ADCs (depending on the device) with a conversion time down to 1 μs. A self-calibration feature is provided to enhance ADC accuracy versus environmental condition changes.
上传时间： 2014-12-23
上传用户：eastimage
1,电路板插件，浸锡，切脚的方法 1.制板(往往找专门制板企业制作，图纸由自己提供)并清洁干净。 2.插横插、直插小件，如1/4W的电阻、电容、电感等等贴近电路板的小尺寸元器件。 3.插大、中等尺寸的元器件，如470μ电解电容和火牛。 4.插IC，如贴片IC可在第一步焊好。 原则上来说将元器件由低至高、由小至大地安排插件顺序，其中高低原则优先于水平尺寸原则。 若手工焊接，则插件时插一个焊一个。若过炉的话直接按锡炉操作指南操作即可。 切脚可选择手工剪切也可用专门的切脚机处理，基本工艺要求就是刚好将露出锡包部分切除即可。 若你是想开厂进行规模生产的话，那么还是建议先熟读掌握相关国家和行业标准为好，否则你辛苦做出的产品会无人问津的。而且掌握标准的过程也可以帮助你对制作电路板流程进行制订和排序。 最后强烈建议你先找个电子厂进去偷师一番，毕竟眼见为实嘛。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：asdfasdfd
根据汽车发动机控制芯片的工作环境，针对常见的温度失效问题，提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺，采用电流型带隙基准电压源结构，具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法，实现了较宽温度范围内的低温度系数。仿真结果表明，该带隙基准电路在-50℃~+125℃的温度范围内，实现平均输出电压误差仅5.2 ppm/℃，可用于要求极端严格的发动机温度环境。该电路电源共模抑制比最大为99 dB，可以有效缓解由发动机在不同工况下产生的电源纹波对输出参考电压的影响。
上传时间： 2014-01-08
上传用户：ecooo
针对小电流接地故障诊断难的问题，设计了一个基于零序电流、零序电压的实时检测系统，对供电系统进行检测并对故障线路进行选线。采用了多任务、可移植、可裁剪的嵌入式操作系统μC/OS-II。为防止中性点带补偿系统对于故障线路的过补偿影响，系统还加入了补偿零序导纳判据对这种接地情况下的故障进行检测。选线系统采用零序电压触发方式，既提高了实时性，也增大了选线的准确性。
上传时间： 2014-01-18
上传用户：海陆空653
电路如果存在不稳定性因素，就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点，运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO，电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3 pF，减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V，输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100 μA到100 mA变化时，最小相位裕度为830，最小带宽为4.58 MHz
上传时间： 2014-12-23
上传用户：wangjin2945
为了对电容重复频率且高能量转换效率地充电，开展了全桥串联谐振充电电源的理论设计。通过数值解析的方法获得谐振电感、电容、功率器件耐压与通流、电源功率、脉冲变压器伏秒数等参数，通过数值模拟的方法获得脉冲变压器励磁电感参数，以基于Pspice的全电路仿真验证设计参数的合理性。仿真结果表明为了实现对110 nF电容1 kHz重频充电，在初级电压为1.2 kV和谐振参数为33 kHz时，谐振电感、电容应分别为625 nH，37 μF，脉冲变压器伏秒数、励磁电感至少分别应为45 mVs、1 mH，功率器件峰值电流约300 A。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：angle
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：thesk123
LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內，因此只需少量的外部元件。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：顶得柱
