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mac层 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 9 篇文章，持续更新中。
什么是超电解电容器
什么是超级电容器? <BR><BR>◆ 超级电容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黄金电容、法拉电容，通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件，但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。 <BR><BR>◆ 超级电容器可以被
COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下：<br />
对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，R
SIMATIC逻辑堆栈指令
9.16 SIMATIC 逻辑堆栈指令<BR>栈装载与 (ALD)<BR>ALD 指令对堆栈中的第一层和第二层的值进行逻辑与操作结<BR>果放入栈顶执行完 ALD 指令后堆栈深度减 1<BR>操作数 无<BR>栈装载或 (OLD)<BR>OLD 指令对堆栈中的第一层和第二层的值进行逻辑或操作<BR>结果放入栈顶执行完 OLD 指令后堆栈深度减 1<BR>操作数 无<BR>逻辑推入栈<BR>LPS
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
ADC中精确度与分辨率认识
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ADC制造商在数据手册中定义ADC性能的方式令人困惑，并且可能会在应用开发中导致错误的推断。最大的困惑也许就是“分辨率”和“精确度”了——即Resolution和Accuracy，这是两个不同的参数，却经常被混用，但事实上，分辨率并不能代表精确度，反之亦然。本文提出并解释了ADC&
飞行模拟器可扩展数字量输出系统的设计与实现
<span id="LbZY">控制某型飞机模拟座舱中的Led、继电器、小电流元件，满足易于扩充规模的工程需求，采用充分利用元器件特性的方法，使用一种可扩展数字量输出系统建立开出通道，在电路层预留扩充接口，实现座舱灯光信号、电路状态切换、外部设备数控的功能。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1306251G941
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120222105RbW.jpg" style="width: 404px; h
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应
<P>本文的目的在于，介绍如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应。我们仅处理理想化的气隙磁场，不考虑槽、外部周边或倾斜电抗。但我们将考察绕组磁动势（MMF）的空间谐频。</P>
<P>在图1中，给出了12槽定子的轴截面示意图。实际上，所显示的是薄钢片的形状，或用于构成磁路的层片。铁芯由薄片构成，以控制涡流电流损耗。厚度将根据工作频率而变，在60Hz的电机中（大体积电机，工业用）层片的厚度典