jfet
共 20 篇文章
jfet 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 20 篇文章，持续更新中。
集成电路CD系列之CD4055
英文描述： Dual JFET-input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
中文描述： 具有显示频率输出的 CMOS BCD 到 7 段 LCD 解码器/驱动器
集成电路CD系列之CD4056
英文描述： Dual JFET-input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
中文描述： 具有选通锁存功能的 CMOS BCD 到 7 段 LCD 解码器/驱动器
集成电路CD系列之CD4059
英文描述： Dual JFET-input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
中文描述： CMOS可编程分频氮计数器
期刊论文：新型固体LBCAST JFET图像传感器
·期刊论文：新型固体LBCAST JFET图像传感器
正确选择低噪声放大器
摘要：该应用笔记检验了影响放大器噪声的关键参数，说明不同放大器设计(双极型、JFET输入或CMOS输入设计)对噪声的影响。本文还阐述了如何选择一款适合低频模拟应用(如数据转换器缓冲、应变仪信号放大和麦
LFll331中文资料,pdf datasheet
LFll331是一种独立四通道JFET模拟开关，其管脚排列及内部等效逻辑如图l所示。除了上述常规应用外，模拟开关还可被用于许多特殊场合，如可编程运算放大器、斩波稳零放大器、可编程积分器、采样／保持器、
场效应三极管及其放大电路
场效应三极管及其放大电路<BR>场效应管的分类；<BR>2. 结型场效应管（JFET）和金属－氧化物－半<BR>导体场效应管（MOSFET）的结构、工作原<BR>理、
半导体基础知识的flash动画
PN结 单向导电性 本征激发 JFET的外部特性 三极管特性曲线等
《实用模拟电路设计》 pdf电子书免费下载
<p>实用模拟电路设计第一版，人民邮电出版社，英文原版书名： IntuiTIve Analog Circit Design Second EdiTIon。</p><p><br/></p><p>作者：汤普森 （Marc Thompson） 著， 马爱文 译。</p><p><br/></p><p>实用模拟电路设计是Thompson博士30年来在模拟设计、 电力电子学线路和为研究生讲授模拟电路设计的经验
模拟电路备课笔记——运算放大器
<p>集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路。</p><p> </p><p>输入级：由BJT、JFET或MOSFET组成的差分式放大电路，利用对称性提高整个电路的共模抑制比。</p><p> 两个输入端构成整个电路的反相输入端和同相输入端。</p><p>电压放大级：
MOS管驱动电路的总结
<p>一、MOS管驱动电路综述</p><p>在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。</p><p>1、MOS管种类和结构</p><p>MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共
JFET结型场效应管资料
<p>·1、结型场效应三极管的结构</p><p>N沟道结型场效应三极管的结构如图（a)所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区连接在一起为栅极G，N型硅的一端是漏极D，另一端是源极S。P沟道结型场效应三极管的结构如图（b）所示<br/></p><p>2、结型场效应三极管的工作原理</p><p>根据结型场效应三极管的结构，只能工作在反偏的条件下
具有稳定温度特性的快速低噪声JFET放大器
<p>虽然JFET 是适用于低成本高输入阻抗放大器的优秀器件， 但存在着与温度有关的增益漂移问题。不过只要在-55℃至125℃温度范围内将漏极电流设为零漂移工作点就能改善这个问题。</p><p>我们针对此电路测试了多种JFET：索尼的2SK152-2、 Interfet的IFN152以及 Siliconix/Vishay/OnSemi的J309，因为它们都具有较高的增益和大约100pA的低栅极漏电
TL062/TL064 MOTOROLA开发的low power JFET input operational amplifiers
TL062/TL064 MOTOROLA开发的low power JFET input operational amplifiers
碳化硅电源
功率密度很高的，50KW--5000v-700v碳化硅JFET开关电源
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
ADI在线工具简化工程师的设计
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创新、效能、卓越是ADI公司的文化支柱。作为业界公认的全球领先数据转换和信号调理技术领先者，我们除了提供成千上万种产品以外，还开发了全面的设计工具，以便客户在整个设计阶段都能轻松快捷地评估电路。</p>
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使用LTC运算放大器宏模型
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This application note is an overview discussion of theLinear Technology SPICE macromodel library. It assumeslittle if any prior knowledge of this software library or itshistory.
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