由于cmos器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对cmos器件进行抗静电措施。本文描述了cmos器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护cmos器件不受损伤。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：yupw24
闩锁效应是指cmos器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路
上传时间： 2013-10-19
上传用户：缥缈
开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时，继电器就吸合或释放，其触点接通或断开电路。cmos模拟开关是一种可控开关，它不象继电器那样可以用在大电流、高电压场合，只适于处理幅度不超过其工作电压、电流较小的模拟或数字信号。 一、常用cmos模拟开关引脚功能和工作原理 1.四双向模拟开关CD4066 CD4066 的引脚功能如图1所示。每个封装内部有4个独立的模拟开关，每个模拟开关有输入、输出、控制三个端子，其中输入端和输出端可互换。当控制端加高电平时，开关导通；当控制端加低电平时开关截止。模拟开关导通时，导通电阻为几十欧姆；模拟开关截止时，呈现很高的阻抗，可以看成为开路。模拟开关可传输数字信号和模拟信号，可传输的模拟信号的上限频率为40MHz。各开关间的串扰很小，典型值为－50dB。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：bibirnovis
模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&T，Bell Lab，HP)卓著的研究经历为我们提供了这本优秀的教材。本书自2000午出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为cmos模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。... 本书介绍模拟cmos集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、cmos制造工艺和混合信号电路的版图与封装。 1 Introduction to Analog Design 2 Basic MOS Device Physics 3 Single-Stage Amplifiers 4 Differential Amplifiers 5 Passive and Active Current Mirrors 6 Frequency Response of Amplifiers 7 Noise 8 Feedback 9 Operational Amplifiers 10 Stability and Frequency Compensation 11 Bandgap References 12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits 13 Nonlinearity and Mismatch 14 Oscillators 15 Phase-Locked Loops 16 Short-Channel Effects and Device Models 17 cmos Processing Technology 18 Layout and Packaging
上传时间： 2014-12-23
上传用户：杜莹12345
基于SMIC0.35 μm的cmos工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
设计了一种可在cmos射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在cmos工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2～3 GHz频段内的损耗小于1．35 dB，其功率合成效率高达76 以上，适合多模多频段射频前端的应用。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ewtrwrtwe
TTL电平和cmos电平总结
上传时间： 2013-10-09
上传用户：Zxcvbnm
采用纳瓦技术的8/14引脚闪存8位cmos单片机 PIC12F635/PIC16F636/639数据手册 目录1.0 器件概述 2.0 存储器构成3.0 时钟源4.0 I/O 端口 5.0 Timer0 模块6.0 具备门控功能的Timer1 模块 7.0 比较器模块8.0 可编程低压检测（PLVD）模块9.0 数据EEPROM 存储器10.0 KeeLoq® 兼容加密模块 11.0 模拟前端（AFE）功能说明 （仅限PIC16F639）12.0 CPU 的特殊功能13.0 指令集概述14.0 开发支持15.0 电气特性16.0 DC 和AC 特性图表17.0 封装信息Microchip 网站变更通知客户服务客户支持读者反馈表 附录A： 数据手册版本历史产品标识体系全球销售及服务网点
上传时间： 2013-11-17
上传用户：qlpqlq
The CAT28LV64 is a low voltage, low power, cmos Parallel EEPROM organized as 8K x 8−bits. It requires a simple interface for in−system programming. On−chip address and data latches, self−timed write cycle with auto−clear and VCC power up/down write protection eliminate additional timing and protection hardware. DATA Polling and Toggle status bit signal the start and end of the self−timed write cycle. Additionally, the CAT28LV64 features hardware and software write protection.
上传时间： 2013-11-15
上传用户：浩子GG
The CAT25128 is a 128−Kb Serial cmos EEPROM device internally organized as 16Kx8 bits. This features a 64−byte page write buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial communication with the CAT25128 device. The device featuressoftware and hardware write protection, including partial as well as full array protection.
上传时间： 2013-11-15
上传用户：fklinran
