基于NE555设计的声音传感器模块ALTIUM硬件原理图+PCB文件，2层板设计，大小为29x30mm，Altium Designer 设计的工程文件，包括原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你的产品设计的参考。主要器件型号列表如下：Library Component Count : 8Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose AmplifierCap CapacitorComponent_1_1 Header 3H Header, 3-Pin, Right AngleLED3 Typical BLUE SiC LEDMKF 麦克风Res 电阻Res2 Resistor
上传时间： 2021-11-17
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BTS7960大功率直流电机驱动板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件,2层板设计，大小为66*76mm, 包括完整的原理图和PCB工程文件，可以做为你的设计参考。主要器件如下：Library Component Count : 13Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------CPDR 瓷片电容Component_1_1 DG 电感DJDR 电解电容Header 2 Header, 2-PinLED 发光二极管LED3 Typical BLUE SiC LEDLM2576HVT-3.3 Simple Switcher 3A Step Down Voltage RegulatorPZ_2 排针——2RES2 Res 电阻TLP521-1WY2JG 稳压二级管
上传时间： 2021-11-21
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英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率器件都需要一个门极驱动，同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块——包括硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)，或者作为集成功率模块的一部分(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。
标签： 门极驱动
上传时间： 2022-07-16
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此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩSiCMOSFET时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
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