一种新型机载防浪涌电压保护电路设计
设计了一种新型的机载过压保护电路。该电路以芯片LT4356和APL502L为主要器件，简单可靠，能够满足防80 V/50 ms浪涌电压要求。介绍了该防浪涌电压保护电路主要特点和参数设计，并对该电路进行了仿真分析。相应实验结果表明，该电路是一种可靠有效的机载过压保护电路。...
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查看全部844个资源 »基于STM32F103VC的家用型光伏逆变系统的研究
为了推进光伏发电技术应用到居民家居生活中，提出了一套适用于家用小功率电器工作的光伏逆变系统。系统采用意法半导体公司的STM32F103VC作为控制系统的核心，运用软件方式产生SPWM波。逆变主拓扑回路采用两级全桥变换器，中间环节配合高频变压器升压。与传统的逆变器设计思路不同，前级全桥变换器采用SPW...
一种无片外电容LDO的稳定性分析
电路如果存在不稳定性因素，就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点，运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO，电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容...
IR2110驱动芯片在光伏逆变电路中的设计应用
IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片，它采用高度集成的电平转换技术，大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求，同时提高了驱动电路的可靠性[1]。对于我设计的含有ZCS环节的单相光伏逆变电路中有6个IGBT，只需要3片芯片即可驱动，通过dsp2812控制实现软开关和逆变的功能，同时只...
N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓...
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