X电容
共 80 篇文章
X电容 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 80 篇文章，持续更新中。
模拟cmos集成电路设计(design of analog
<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&
什么是超电解电容器
什么是超级电容器? <BR><BR>◆ 超级电容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黄金电容、法拉电容，通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件，但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。 <BR><BR>◆ 超级电容器可以被
基于MDK RTX 的COrtex-M3 多任务应用设计
基于MDK RTX 的COrtex—M3 多任务应用设计<br />
武汉理工大学 方安平 武永谊<br />
摘要：本文描述了如何在Cortex—M3 上使用MDK RL—RTX 的方法，并给出了一个简单的多任务应用设计。<br />
关键词：MDK RTX，Cortex，嵌入式，ARM， STM32F103VB<br />
1 MDK RL—RT
x电容和y电容介绍
X电容是指跨于L-N之间的电容器， Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).
贴片电容分类介绍
贴片电容分类介绍
四大EMC设计技巧讲解
EMC设计中的滤波器通常指由L，C构成的低通滤波器。滤波器结构的选择是由"最大不匹配原则"决定的。即在任何滤波器中，电容两端存在高阻 抗，电感两端存在低阻抗。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120401150129210.jpg" />
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下：<br />
对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，R
在AD9981上实现自动失调功能
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AD9981是首款集成自动失调功能的显示电子器件(DEPL)。自动失调功能通过计算所需的失调设置来工作，从而在箝位期间产生给定的输出代码。当自动失调使能时(寄存器0x1B:5 = 1)，寄存器0x0B-0x10的设置由自动失调电路用作期望的箝位代码(或目标代码)，而非失调值。电路会在箝位后(但仍在“后肩”期间)输出代码和目标代码作比较，然后上调或下调失调以进行
铝电解电容器：详细介绍原理，应用，使用技巧
<P class=diarycontent style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LAYOUT-GRID-MODE: char; LINE-HEIGHT: 12pt; mso-pagination: none"><FONT size=3>铝电解电容器：详细介绍原理，应用，使用技巧<p></p></FONT></P>
<P class=MsoNormal style="MARGIN
电容应用详解
电容在电路中的应用
高超声速飞行器的轨迹设计与仿真研究
<span id="LbZY">针对高超声速飞行器高速度、高升限、远巡航距离的特点，以高超声速巡航导弹X-43A为研究对象，对其动力学特性进行分析研究，建立飞行轨迹仿真所需要的气动模型、动力模型以及质量模型；并模拟高超声速巡航导弹X-43A试飞试验的飞行轨迹，建立各飞行段弹道仿真模型，构造飞行轨迹并进行仿真验证。仿真结果表明，所得到的轨迹符合高超声速飞行器的实际飞行情况，验证了该轨迹设计方法的可行
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
电容三点式正弦波振荡电路 multisim 仿真
电容三点式正弦波振荡电路 multisim 仿真
小型化电容加载腔体滤波器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用电容加载传输线缩短理论，重新设计腔体滤波器的内部结构，利用T型梳状结构实现加载电容，减小腔体尺寸。仿真设计并实际加工出一个中心频率为2.4GHz的带通
开关稳压器电路的效率特性分析
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开关稳压器使用输出级，重复切换“开”和“关”状态，与能量存贮部件（电容器和感应器）一起产生输出电压。它的调整是通过根据输出电压的反馈样本来调整切换定时来实现的。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111231152A1N8.jpg" /></p>
电子学名词介绍
电子学名词<BR>1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。<BR>2、 电阻的温
电子工程师必备基础知识手册（七）常用元器件的识别
<P>一、电阻</P>
<P>电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。</P>
寄生电容在升压变压器中的设计应用
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One of the most critical components in a step-up design like Figure 1 is the transformer. Transformers have parasitic components that can cause them to deviate from their ideal characteristics, a
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指