Vref
共 30 篇文章
Vref 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 30 篇文章，持续更新中。
RSM1843四线电阻式触摸屏控制芯片
RSM1843 是四线电阻式触摸屏控制芯片。电路是一个12bit 模数转换器（ADC），内置 同步串行数据接口和驱动触摸屏的低阻开关。基准电压（Vref）变化范围从1V 到+Vcc，相 应的输入电压范围为0V 到Vref。电路提供了关断模式，功耗可降低至0.5W。RSM1843 工 作电压能低至2.7V，是电池供电设备的理想选择，可适用于电阻式触摸屏的PDA 等便携设备。
德州仪器技术专家分享：LDO噪声详解
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随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加，人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器 件，而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪声电源供电时，时钟或者转换器 IC 无法达到最高性能。仅仅只是少量的电源噪声，便会对性能产生极大的负面影响。本文将对一种基本 LDO 拓扑进行仔细研究，找出其主要噪声源，并给出最小化其输出
将运算放大器连接至高速DAC
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介绍了一款不要求负参考电压 (VREF) 的电流源 DAC/运算放大器接口。尽管该建议电路设计提供了一款较好的有效解决方案，但必须注意的是：如果 DAC 的最大兼容电压作为运算放大器输入 (VDAC+) 正端的设计目标，则负端 (VDAC–) 的 DAC 电压将会违反最大兼容输出电压，因为存在最初并不那么明显的偏置。下面的讨论，将对出现这种偏置的原因进行解释，并提出一种解
STM32硬件电路设计注意事项
STM32的基本系统主要涉及下面几个部分：<br />
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1、电源<br />
1)、无论是否使用模拟部分和AD部分，MCU外围出去VCC和GND，VDDA、VSSA、Vref(如果封装有该引脚)都必需要连接，不可悬空；<br />
2)、对于每组对应的VDD和GND都应至少放置一个104的陶瓷电容用于滤波，并接该
FPGA连接DDR2的问题讨论
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：<BR>1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是
DRAM内存模块的设计技术
<P>第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143<BR>第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143<BR>第二章 内存模块的叠
DA与AD转换
<P>计算机应用中，有时需处理的信息不是数字量，而是一些随时间连续变化的模拟量，甚至是一些非电量，如温度、压力、速度等。<BR>模拟量的存储处理困难。<BR>首先将非电的模拟信号变成与之对应的模拟电信号，这要通过各种传感器来完成。<BR>计算机可处理的信息均是数字量（电脉冲信号）1和0，必须把要处理的模拟电量转换成数字化的电信号，这需要模拟(Analog)与数字(Digital)转换电路。<BR>
常用PIC系列单片机速查表
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常用PIC系列产品特性一览表</p>
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器件 存储器<br />
类型 字数 EEPROM<br />
数据<br />
存储器 RAM I/O<br />
引脚数 ADC<br />
（-Bit） 比较<br />
器 运<br />
放 定时器/WDT 串行接
FPGA连接DDR2的问题讨论
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：<BR>1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是
模拟接口
<P>8.1 模拟接口概述<BR>单片机的外部设备不一定都是数字式的，也经常会和模拟式的设备连接。<BR> 例如单片机来控制温度、压力时，温度和压力都是连续变化的，都是模拟量，在单片机与外部环境通信的时候，就需要有一种转换器来把模拟信号变为数字信号，以便能够输送给单片机进行处理。而单片机送出的控制信号，也必须经过变换器变成模拟信号，才能为