VMOS场效应管

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闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路

2013-10-20 154 VMOS场效应管

阐述了漏磁探伤漏磁场沿管、杆径向的分布特征, 分析了影响探伤装置漏磁检测准确性的4 个因素, 验证了信号提离距离的变化对传感器和探伤装置灵敏度的影响。针对在用的大多数浮动式传感器固定机构存在的

2024-01-20 9 VMOS场效应管