VDMOS-LIGBT技术资料

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作为功率开关,VDMOS器件以其高开关速度、高耐压、低导通电阻、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点,广泛地应用于开关电源、汽车电子、马达驱动、节能灯等功率集成电路和功率集成系统中,因此VDMOS在电力电子的应用中占有举足轻重的作用,对VDMOS器件的物理特性及电学特性研究与建模有着重要的学术意义和...

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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起...

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