VC下面的图形库
共 118 篇文章
VC下面的图形库 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 118 篇文章，持续更新中。
信号完整性研究
如果你发现，以前低速时代积累的设计经验现在似乎都不灵了，同样的设计，以前 没问题，可是现在却无法工作，那么恭喜你，你碰到了硬件设计中最核心的问题：信号完整性。早一天遇到，对你来说是好事。 这个资料，短小精悍，包含了高速数字信号设计中信号完整性方面的所有知识，对于初学者来说是一份不可多得的入门经典；
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能
时钟抖动时域分析(下)
时钟抖动时域分析(下):<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12050Q52P2264.jpg" /><br />
AD9880色彩空间转换器用户指南
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AD9880中的色彩空间转换矩阵(CSC)是一个3 × 3矩阵，可提供矩阵中所有系数下的完全编程能力。每个系数均为12位宽，以保持信号完整性。CSC可在高达150 MHz的速度下运行，在60 Hz速率时支持1080 p。CSC支持“任意至任意”色彩空间，支持RGB、YUV、YCrCb等格式。<br />
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很全面电气图形符号标准
很全的图形表示
调频调制度监视仪/监视器/分析仪
该款立体声调制度监视仪/分析仪可以保证FM发射记优质工作和 FM 电台保持在最大的调制电平或对发射机的性能进行检测。根据全美和国际标准，该款监视仪特设频率合成的RF预选器，可按50KHZ档预选频率。精确 的 基带解调，PLL 立体声信道解码，线性相位滤波器，为监视调制度电平和性能的检测提供了全面的方便的测试。多路音频输入可供检测和外接失真仪。该款仪器外接天线时可与低电平 RF输入端连接，也可经传输
MT-004 ADC输入噪声面面观——噪声是利还是弊？
所有模数转换器(ADC)都有一定量的“折合到输入端噪声”，可以将其模拟为与无噪声ADC 输入串联的噪声源。折合到输入端噪声与量化噪声不同，后者仅在ADC处理交流信号时出 现。多数情况下，输入噪声越低越好，但在某些情况下，输入噪声实际上有助于实现更高 的分辨率。这似乎毫无道理，不过继续阅读本指南，就会明白为什么有些噪声是好的噪 声。
理想的电压反馈型(VFB)运算放大器
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运算放大器是线性设计的基本构建模块之一。在经典模式下，运算放大器由两个输入引脚和一个输出引脚构成，其中一个输入引脚使信号反相，另一个输入引脚则保持信号的相位。运算放大器的标准符号如图1所示。其中略去了电源引脚，该引脚显然是器件工作的必需引脚。
5000个集成功放电路速查及其代换手册
超全面的功放材料，是否对大家有用，特此奉献。
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
提高在噪声环境下的磁卡读写器(MCR)系统
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Abstract: Most magnetic read head data sheets do not fully specify the frequency-dependent components andare often vague when specifying other key parameters. In some cases, the specifications
SIMATIC WinCC V6.0 SP3 实现工厂智能的
<P>SIMATIC WinCC V6.0 SP3 增加了一些重要的系统功能，可通过工厂智能选<BR>件，实现过程可视化和过程优化：<BR>l 数据评估功能实现在线分析<BR>- 分析过程值归档的统计函数<BR>- 曲线线条宽度、工具提示以及对数形式表示都可自由组态<BR>- 消息顺序列表可以按栏标题<BR>进行分类<BR>l WinCC/Web Navigator V6.1<BR>- 基本过程控
Multisim元件库
Multisim元件库资料
双极运算放大器的辐射效应和退火特性
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本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6
整流滤波电容的设计与选用方法研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路，其中滤波电容的设计选取，直接影响到纹波电压的大小，关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下，依据整流滤波
数字电路设计中部分常见问题解析
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">借助一个双向计时器的设计电路，以举例的形式对数字电路设计中3个方面的常见问题进行了较为详尽地分析，并提出了一些见解，即针
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．
示波器操作指南
示波器操作指南 停全面的
差压流量计的计算
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差压式流量计的测量原理是基于流体的机械能相互转换的原理。在水平管道中流动的流体，具有动压能和静压能（位能相等），在一定条件下，这两种形式的能量可以相互转换，但能量总和不变。</p>