TRANSISTOR
共 62 篇文章
TRANSISTOR 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 62 篇文章，持续更新中。
UTC2SB772 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
The UTC 2SB772 is a medium power low voltagetransistor, designed for audio power amplifier, DC-DC co
BFP 420晶体管设计2.4 GHz低噪声放大器
The SIEMENS Grounded Emitter Transistor Line is a completely new generation of silicon<BR>bipolar ju
TLP621光耦数据手册
The TOSHIBA TLP621, −2 and −4 consists of a photo−transistor
optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode.
TIP122数据手册
NPN Epitaxial Darlington Transistor
单相全桥SPWM逆变器的研究
建立了单相全桥电压型SPWM（Sinusoidal Pulse-width modulation，正弦脉宽调制）逆变器的数学模型，分析了设置死区时系统中IGBT(Insulated –Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)的通断状态，用MATLAB/Simulink中的基础模块模拟逆变器的工作状态、死区效应、死区补偿和控制系统，用数学分析和实验波形对仿真结果进行了验证。
IGBT理论设计（英）
<p>Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design（Khanna）</p>
三极管开关电路图原理及设计
<p>三极管开关电路图原理及设计</p><p>开关三极管（Switch transistor）的外形与普通三极管外形相同，它工作于截止区和饱和区，相当于电路的切断和导通。由于它具有完成断路和接通的作用，被广泛应用于各种开关电路中，如常用的开关电源电路、驱动电路、高频振荡电路、模数转换电路、脉冲电路及输出电路等。</p>负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间，而位居三极管主电流的回路上，输入电
霍尔元件 NHE313 技术手册
<p>This is a high sensitivity type of Nicera Hall element using evaporated InSb</p><p>film.</p><p>It performs effectively in low magnetic fields due to the high sensitivity.</p><p>The input and output
hall元件NHE520F
<p>・This is a high sensitivity type of Nicera Hall element using evaporated InSb</p><p>film.</p><p>・It performs effectively in low magnetic fields due to the high sensitivity.</p><p>・The input and out
新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术
<p>IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）</p><p>绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）</p><p>和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽
逆变器IGBT损坏原因分析及处理
<p>1前言</p><p>莱钢型钢厂大型生产线传动系统采用西门子</p><p>SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交电压型变频器供电，变频器采用公共直流母线式结构；冷床传输链采用4台电机单独传动，每台电机分别由独立的逆变单元控制，逆变单元的控制方式为无速度编码器的矢量控制，相互之间依靠速度给定的同时性保持同步。自2005年投入生产以来，冷床传输链运行较为稳定，但2007年2月以后，冷床
用于10kVIGBT固体开关的脉冲变压器设计
<p>由于高重复频率固体开关在加速器、雷达发射机、高功率微波和污染控制等领域存在的潜在优势，美国、英国、日本和韩国等都对固体开关技术进行了大量研究，从而成为近年脉冲功率界研究的重点1。从固体元件电路结构上，固体开关可以分成两种类型：串联结构和累加器结构。采用串联结构的固体开关生产厂家中，比较著名的有LLNL（Lawrence Livermore National Laboratory）和DTI（D
IGBT图解
<p>le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2</p><p>ar= 1/cosh(1/La),
三菱第五代IGBT应用手册
<p>三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求，三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发，为人类的节能和环保不断努力。</p><p>第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅片CSTBTIM技术，并具有正温度系数特征，与传统的沟槽型构造IGB
ILI9341_液晶屏中文手册
<p style="margin: 10px auto; padding: 0px; color: rgb(51, 51, 51); font-family: "PingFang SC", "Microsoft YaHei", "Helvetica Neue", Helvetica, Arial, sans-serif; font-siz
实用模拟电路设计 (Marc T. Thompson)
<p>本书是 Marc Thompson 博士 20 年模拟电路设计和教学经验的总结，讲述了模拟电路与系统设计中常用的直观分析方法。本书提出了“模拟电路直观方法学”，力图帮助学生和设计人员摆脱复杂的理论推导与计算，充分利用直观知识来应对模拟电路工程设计挑战。全书共分为 16 章，内容涵盖了二极管、晶体管、放大器、滤波器、反馈系统等模拟电路的基本知识与设计方法。</p><p><br/></p><p>
PW2202-2.0.pdf规格书下载
<p>The PW2202 is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar<br/>Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the<br/>avalanc
TMS320F28035 DSP设计的数字大功率数字化全桥变换器ALTIUM设计硬件原理图+PCB
<p>基于DSP设计的数字化大功率电源数字化全桥变换器电源ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，包括主板和控制板2个硬件，均为4层板设计，ALTIUM设计的硬件工程文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的设计参考。</p><p>主板原理图器件如下：</p><p>Library Component Count : 55</p><p><br/></p><p>Name
AT89S52单片机主8入8出继电器工控主板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件
<p>AT89S52单片机主8入8出继电器工控主板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件,</p><p>2层板设计，大小为121x149mm，Altium Designer 设计的工程文件，包括完整的原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你的产品设计的参考。</p><p>主要器件型号列表如下：</p><p>Library Component Count : 25</p
音频放大器设计
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This design uses Common-Emitter Amplifier (Class A) with 2N3904 Bipolar Junction Transistor.<span style="display:none;" id="__kindeditor_bookmark_start_6__"></span>
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