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(LTSpice)以反相器为例学习仿真MOSFET
<h2>原理图schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos（pmos）和nmos4（pmos4）两种nmos（pmos）。其中nmos（pmos）表示衬底（B...
SiC MOSFET
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源代码 503
SiC MOSFET 热门资料
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使用Si828x驱动MOSFET和IGBT开关
Si828x产品将隔离、栅极驱动器、故障检测保护和操作指示器集成到一个封装中，以驱动IGBT和MOSFET以及其他门控电源开关器件。大多数Si828x产品（Si8286除外）都有三个独立的输出引脚，提供独立的上升和下降时间设置和低阻抗钳位，...
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内置高压MOSFET电流模式PWM控制器系列
SD4840/4841/4842/4843/4844是用于开关电源的内置高压MOSFET电流模式PWM控制器系列产品。该电路待机功耗低，启动电流低。在待机模式下，电路进入打嗝模式，从而有效地降低电路的...
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在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较
开关电源(Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针...
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实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算方法，并对多种因素对开关...