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论文仿真原型程序,仿真四种（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的检测性能，绘制误比特率～信噪比曲线。 发端初始化=============================================...
英飞凌SiC肖特基二极——适合各种供电条件的解决方案，英飞凌利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料，能制造出接近理想功能特性的升压二极管，并适合PFC应用中的各种功率级别。SiC肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向...
提出了SiC-SBD 气体传感器器件分析模型，利用当前流行的MATLAB 强大的计算编程功能，模拟了SiC-SBD气体传感器的电流-电压特性，结果与实验数据吻合很好，较好地解释了Pd-S
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左...
Full Bridge LLC ZVS SiC Converter；详细介绍 LLC谐振拓扑原理；使用 SIC MOSFET 作为功率元器件进行主电路设计。
SiC+MOSFET+LLC谐振变换器移相控制特性分析.本文介绍了LLC谐振变换器的设计过程，设计了15kW两路交错并联LLC谐振变换器。介绍了交错并联LLC谐振变换器的移相均流控制原理，通过实验分析了参数误差对交错并联LLC谐振变换器的影...
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