SiC器件

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英飞凌SiC肖特基二极——适合各种供电条件的解决方案,英飞凌利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料,能制造出接近理想功能特性的升压二极管,并适合PFC应用中的各种功率级别。SiC肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向...

2023-01-16 1 SiC器件

ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构,进一步降低了导通电阻;同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装,改善了开关特性,使开关损耗可以降低35%左...

2021-11-07 1 SiC器件