SiC+MOSFET

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针对Vishay MOSFET的额定电流参数进行详细解析,提供实际选型参考。结合多项目应用经验,给出关键设计指标和选型建议,适合用于电源设计和功率电路优化。

2026-02-12 1 SiC+MOSFET

一般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的,因为我是用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用MOSFET做,这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题,比如一个5V的电源,经过管子后...

2022-09-13 10 SiC+MOSFET

为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计...

2023-01-26 2 SiC+MOSFET