描述了铁基非晶磁性材料的特性与应用 提出了新型导磁材料替代传统硅钢片的优势
上传时间： 2016-09-01
上传用户：苍山观海
GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GaN devices have also been developed for RF wireless applications where they can replace Silicon transistors in some selected systems. That incursion in the RF field has open the door to the power switching capability in the lower frequency range and thus to the power electronic applications. Compared to Silicon, GaN exhibits largely better figures for most of the key specifications: Electric field, energy gap, electron mobility and melting point. Intrinsically, GaN could offer better performance than Silicon in terms of: breakdown voltage, switching frequency and Overall systems efficiency.
标签： GaN-on-Si Displace and SiC Si
上传时间： 2020-06-07
上传用户：shancjb
作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ，其 中 结 型 栅 结 构 （p 型 栅 ）和 共 源 共 栅 级 联 结 构 (C asco de)的 常 关 型 器 件 已 经 逐 步 实 现 产 业 化 ，并 在 通 用 电 源 及 光 伏 逆 变 等 领 域 得 到 应 用 。但 是 鉴 于 以 上 两 种 器 件 结 构 存 在 的 缺 点 ，业 界 更 加 期 待 能 更 充 分 发 挥 G a N 性能的 “ 真 ” 常 关 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面实用 化 ，仍 然 面 临 着 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 稳 定 性 方 面 的 挑 战 。
上传时间： 2021-12-08
上传用户：XuVshu
LED衬底是LED产品的重要组成部分，不同的衬底材料，需要不同的磊晶（晶圆生长）技术、芯片加工技术和封装技术，最常见的为氮化物衬底材料等。对于制作LED芯片来说衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底需要根据设备和LED器件的要求进行选择。
标签： 芯片衬底
上传时间： 2022-07-05
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金属材料标准手册（上、下）
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
模具材料与使用寿命
上传时间： 2013-06-17
上传用户：eeworm
常用金属材料手册
标签： 金属材料
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
最新金属材料牌号,性能,用途,对照实用手册 .PDF
上传时间： 2013-06-09
上传用户：eeworm
超声波换能器材料
上传时间： 2013-06-03
上传用户：eeworm
红外光学材料
上传时间： 2013-07-10
上传用户：eeworm
