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SI

  • 高速PCB基础理论及内存仿真技术(经典推荐)

    第一部分 信号完整性知识基础.................................................................................5第一章 高速数字电路概述.....................................................................................51.1 何为高速电路...............................................................................................51.2 高速带来的问题及设计流程剖析...............................................................61.3 相关的一些基本概念...................................................................................8第二章 传输线理论...............................................................................................122.1 分布式系统和集总电路.............................................................................122.2 传输线的RLCG 模型和电报方程...............................................................132.3 传输线的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本质.................................................................................142.3.2 特征阻抗相关计算.............................................................................152.3.3 特性阻抗对信号完整性的影响.........................................................172.4 传输线电报方程及推导.............................................................................182.5 趋肤效应和集束效应.................................................................................232.6 信号的反射.................................................................................................252.6.1 反射机理和电报方程.........................................................................252.6.2 反射导致信号的失真问题.................................................................302.6.2.1 过冲和下冲.....................................................................................302.6.2.2 振荡:.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分线的匹配.................................................................................392.6.3.4 多负载的匹配.................................................................................41第三章 串扰的分析...............................................................................................423.1 串扰的基本概念.........................................................................................423.2 前向串扰和后向串扰.................................................................................433.3 后向串扰的反射.........................................................................................463.4 后向串扰的饱和.........................................................................................463.5 共模和差模电流对串扰的影响.................................................................483.6 连接器的串扰问题.....................................................................................513.7 串扰的具体计算.........................................................................................543.8 避免串扰的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的产生..................................................................................................614.2.1 电压瞬变.............................................................................................614.2.2 信号的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 电场屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁场屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 电磁场屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 电磁屏蔽体和屏蔽效率.................................................................684.3.2 滤波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦电容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 设计中的EMI.......................................................................................754.4.1 传输线RLC 参数和EMI ........................................................................764.4.2 叠层设计抑制EMI ..............................................................................774.4.3 电容和接地过孔对回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走线规则.................................................................................79第五章 电源完整性理论基础...............................................................................825.1 电源噪声的起因及危害.............................................................................825.2 电源阻抗设计.............................................................................................855.3 同步开关噪声分析.....................................................................................875.3.1 芯片内部开关噪声.............................................................................885.3.2 芯片外部开关噪声.............................................................................895.3.3 等效电感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路电容的特性和应用.............................................................................925.4.1 电容的频率特性.................................................................................935.4.3 电容的介质和封装影响.....................................................................955.4.3 电容并联特性及反谐振.....................................................................955.4.4 如何选择电容.....................................................................................975.4.5 电容的摆放及Layout ........................................................................99第六章 系统时序.................................................................................................1006.1 普通时序系统...........................................................................................1006.1.1 时序参数的确定...............................................................................1016.1.2 时序约束条件...................................................................................1063.2 高速设计的问题.......................................................................................2093.3 SPECCTRAQuest SI Expert 的组件.......................................................2103.3.1 SPECCTRAQuest Model Integrity .................................................2103.3.2 SPECCTRAQuest Floorplanner/Editor .........................................2153.3.3 Constraint Manager .......................................................................2163.3.4 SIgXplorer Expert Topology Development Environment .......2233.3.5 SIgNoise 仿真子系统......................................................................2253.3.6 EMControl .........................................................................................2303.3.7 SPECCTRA Expert 自动布线器.......................................................2303.4 高速设计的大致流程...............................................................................2303.4.1 拓扑结构的探索...............................................................................2313.4.2 空间解决方案的探索.......................................................................2313.4.3 使用拓扑模板驱动设计...................................................................2313.4.4 时序驱动布局...................................................................................2323.4.5 以约束条件驱动设计.......................................................................2323.4.6 设计后分析.......................................................................................233第四章 SPECCTRAQUEST SIGNAL EXPLORER 的进阶运用..........................................2344.1 SPECCTRAQuest SIgnal Explorer 的功能包括:................................2344.2 图形化的拓扑结构探索...........................................................................2344.3 全面的信号完整性(SIgnal Integrity)分析.......................................2344.4 完全兼容 IBIS 模型...............................................................................2344.5 PCB 设计前和设计的拓扑结构提取.......................................................2354.6 仿真设置顾问...........................................................................................2354.7 改变设计的管理.......................................................................................2354.8 关键技术特点...........................................................................................2364.8.1 拓扑结构探索...................................................................................2364.8.2 SIgWave 波形显示器........................................................................2364.8.3 集成化的在线分析(Integration and In-process AnalySIs) .236第五章 部分特殊的运用...............................................................................2375.1 Script 指令的使用..................................................................................2375.2 差分信号的仿真.......................................................................................2435.3 眼图模式的使用.......................................................................................249第四部分:HYPERLYNX 仿真工具使用指南............................................................251第一章 使用LINESIM 进行前仿真.......................................................................2511.1 用LineSIm 进行仿真工作的基本方法...................................................2511.2 处理信号完整性原理图的具体问题.......................................................2591.3 在LineSIm 中如何对传输线进行设置...................................................2601.4 在LineSIm 中模拟IC 元件.....................................................................2631.5 在LineSIm 中进行串扰仿真...................................................................268第二章 使用BOARDSIM 进行后仿真......................................................................2732.1 用BOARDSIM 进行后仿真工作的基本方法...................................................2732.2 BoardSIm 的进一步介绍..........................................................................2922.3 BoardSIm 中的串扰仿真..........................................................................309

    标签: PCB 内存 仿真技术

    上传时间: 2014-04-18

    上传用户:wpt

  • +12V、0.5A单片开关稳压电源电路

    +12V、0.5A单片开关稳压电源,其输出功率为6W。当输入交流电压在110~260V范围内变化时,电压调整率Sv≤1%。当负载电流大幅度变化时,负载调整率SI=5%~7%。

    标签: 0.5 12 单片开关 稳压电源电路

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:han_zh

  • 基于51单片机的八音盒设计

    本设计是以STC89C52RC芯片为核心,利用Keil UV4编写软件和STC_ISP烧写软件,设计出一个八音盒。八音盒主要由五大模块构成,包括单片机最小系统、4*4矩阵键盘、蜂鸣器发生电路和4位数码管显示电路。有8个按键对应8首曲目播放按钮,另外8个按键对应do、re、mi、fa、so、la、SI、do’八中音调。本设计主要使用单片机的内部定时器0和中断产生不同频率的方波和延时驱动蜂鸣器,并采取行列反转扫描法识别键盘键值。由于使用的是实验箱已经固化的电路,本设计主要从软件设计上加以优化,以使蜂鸣器产生的音乐更纯净。最终实现的基础功能是任意播放8首单片机内已存曲目,发挥部分是另外实现8个可演奏的琴键,使八音盒具有放音和简单演奏的两重功能,并辅以数码管显示当前播放曲目号,经过优化和调试,音色较好,琴键发音比较纯正,初步达到设计要求。

    标签: 51单片机 八音盒

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:450976175

  • CAT25128-128Kb的SPI串行CMOS EEPRO

    The CAT25128 is a 128−Kb Serial CMOS EEPROM device internally organized as 16Kx8 bits. This features a 64−byte page write buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus SIgnals are clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial communication with the CAT25128 device. The device featuressoftware and hardware write protection, including partial as well as full array protection.

    标签: 25128 EEPRO CMOS CAT

    上传时间: 2013-11-15

    上传用户:fklinran

  • 串行下载线的原理图-电路图

    串行下载线的原理图 SI Prog - Serial Interface for PonyProg

    标签: 串行 下载线 原理图 电路图

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:zhishenglu

  • 汇编语言程序设计基础

     将正数n插入一个已整序的字数组的正确位置。算法:  将数组中数逐个与N比较,SI为指针若N<Ki,则Ki下移一个单元若NKi,则插在Ki的下一个单元,并结束临界条件:若NKn,则插入Kn的下一个单元若N<K1,则K1~Kn后移一个单元, N插在第一个单元循环控制:计数控制元素个数=((字末地址-字首地址) / 2) +1            字数                = (字节末地址-字节首地址) +1           字节数地址边界控制结束地址为ARRAY_HEAD特征值控制:   表示结束条件的值

    标签: 汇编语言 程序设计

    上传时间: 2013-12-26

    上传用户:haiya2000

  • 10pin jtag接口定义

    10pin jtag接口定义 表1 Rainbow Blaster 的10PIN 母头接口定义引AS 模式 PS 模式 JTAG 模式脚 信号名 描述 信号名 描述 信号名 描述1 DCLK 时钟信号 DCLK 时钟信号 TCK 时钟信号2 GND 信号地 GND 信号地 GND 信号地3 CONF_DONE 配置完毕 CONF_DONE 配置完毕 TDO 数据来自于器件4 VCC(TRGT) 目标电源 VCC(TRGT) 目标电源 VCC(TRGT) 目标电源5 nCONFIG 配置控制 nCONFIG 配置控制 TMS JTAG 状态机控制6 nCE Cyclone 芯片使能/ /7 DATAOUT AS 数据输出 nSTATUS 配置状态 /8 nCS 串行配置器件芯片使能/ /9 ASDI AS 数据输入 DATA0 数据到器件 TDI 数据到器件10 GND 信号地 GND 信号地 GND 信号地

    标签: jtag pin 10 接口定义

    上传时间: 2014-04-02

    上传用户:lina2343

  • 高速DSP与SDRAM之间信号传输延时的分析

      当今电子技术的发展日新月异,尤其是深亚微米工艺在IC设计中的应用,使得芯片的集成规模愈来愈大,速度愈来愈高,从而使得如何处理高速信号问题成为设计的关键因素之一。随着电子系统中逻辑和系统时钟频率的迅速提高和信号边沿不断变陡,印刷电路板(PCB)的线迹互连和板层特性对系统电气性能的影响也越发重要。对于低频设计线迹互连和板层的影响可以不考虑;当频率超过50MHz时,互连关系和板层特性的影响不容忽视,必须对传输线效应加以考虑,在评定系统性能时也必须考虑印刷电路板板材的电参数。因此,高速系统的设计必须面对互连延迟引起的时序问题以及串扰、传输线效应等信号完整性(SI)问题。本文主要对互连延迟所引起的时序问题进行探讨。

    标签: SDRAM DSP 信号传输 延时

    上传时间: 2013-12-18

    上传用户:如果你也听说

  • 科通Cadence_16.6_OrCAD_Capture_CIS_新 功能连载(一)

    16.6 版本出来将近半年了,一直想和大家分享一下OrCAD 在16.6 上面的表现。今天终于可以坐下来说一下了。今天要讨论的是Capture 非常有用的一个更新,原理图与SI 分析的完美结合结合。

    标签: OrCAD_Capture_CIS Cadence 16.6

    上传时间: 2014-03-26

    上传用户:YYRR

  • ibis模型理解说明

    IBIS 模型在做类似板级SI 仿真得到广泛应用。在做仿真的初级阶段,经常对于ibis 模型的描述有些疑问,只知道把模型拿来转换为软件所支持的格式或者直接使用,而对于IBIS 模型里面的数据描述什么都不算很明白,因此下面的一些描述是整理出来的一点对于ibis 的基本理解。在此引用很多presention来描述ibis 内容(有的照抄过来,阿弥陀佛,不要说抄袭,只不过习惯信手拈来说明一些问题),仅此向如muranyi 等ibis 先驱者致敬。本文难免有些错误或者考虑不周,随时欢迎进行讨论并对其进行修改!IBIS 模型的一些基本概念IBIS 这个词是Input/Output buffer information specification 的缩写。本文是基于IBIS ver3.2 所撰写出来(www.eigroup.org/IBIS/可下载到各种版本spec),ver4.2增加很多新特性,由于在目前设计中没用到不予以讨论。。。在业界经常会把spice 模型描述为tranSIstor model 是因为它描述很多电路细节问题。而把ibis 模型描述为behavioral model 是因为它并不象spice 模型那样描述电路的构成,IBIS 模型描述的只不过是电路的一种外在表现,象个黑匣子一样,输入什么然后就得到输出结果,而不需要了解里面驱动或者接收的电路构成。因此有所谓的garbage in, garbage out,ibis 模型的仿真精度依赖于模型的准确度以及考虑的worse case,因此无论你的模型如何精确而考虑的worse case 不周全或者你考虑的worse case 如何周全而模型不精确,都是得不到较好的仿真精度。

    标签: ibis 模型

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:zhouli