SCR-MOS-GTR-IGBT
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SCR-MOS-GTR-IGBT 热门资料
查看全部 500 份 →MOS管的米勒效应-讲的很详细
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET...
2022-03-20
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基于Multisim的MOS管H桥驱动仿真
文件是基于Multisim的MOS管H桥驱动仿真，电路原理图由LM317恒流源电路、两个IR2011PBF半桥驱动电路、MOS管组成的全桥电路，可用于设计恒流电路和H桥驱动电路。
2022-07-19
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MOS管被静电击穿的原因分析
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2022-12-24
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MOS大规模集成技术 第二册.rar
资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试（CMOS、半导体、集成电路）->MOS大规模集成技术 第二册.rar
2023-05-04
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