RF接收器

共 21 篇文章
RF接收器 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 21 篇文章,持续更新中。

印制电路板雕刻机简介与适用范围

使用电路板雕刻机,可快速制作电路板样品,缩短研发时间,设备体积小不占空间,且无污染。它适合数字、模拟、RF及一般电路板的制作,可做到电路板钻孔、线路雕刻、外形切割一机多功。

射频集成电路设计John Rogers(Radio Freq

<P>Radio Frequency Integrated Circuit Design</P> <P>I enjoyed reading this book for a number of reasons. One reason is that it<BR>addresses high-speed analog design in the context of microwave issues.

步进频率雷达系统的模拟与测试

<div> 任何雷達接收器所接收到的回波(echo)訊號,都會包含目標回波和背景雜波。雷達系統的縱向解析度和橫向解析度必須夠高,才能在充滿背景雜波的環境中偵測到目標。傳統上都會使用短週期脈衝波和寬頻FM 脈衝來達到上述目的。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130110150432P2.jpg" style="wid

RF至数字接收器的信号链噪声分析

<p> &nbsp;</p> <div> Designers of signal receiver systems often need to performcascaded chain analysis of system performancefrom the antenna all the way to the ADC. Noise is a criticalparameter in t

宽带低EVM直接变频发射机

本电路为宽带直接变频发射机模拟部分的完整实施方案(模拟基带输入、RF输出)。通过使用锁相环(PLL)和宽带集成电压控制振荡器(VCO),本电路支持500 MHz至4.4 GHz范围内的RF频率。PLL中的LO执行谐波滤波,确保提供出色的正交精度。低噪声LDO确保电源管理方案对相位噪声和EVM没有不利影响。这种器件组合可以提供500 MHz至4.4 GHz频率范围内业界领先的直接变频发射机性能。<b

LVDS和M-LVDS电路实施指南

<div> 低电压差分信号(LVDS)是一种高速点到点应用通信标准。多点LVDS (M-LVDS)则是一种面向多点应用的类似标准。LVDS和M-LVDS均使用差分信号,通过这种双线式通信方法,接收器将根据两个互补电信号之间的电压差检测数据。这样能够极大地改善噪声抗扰度,并将噪声辐射降至最低。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img

10Gbits GPON系统的完整,紧凑型APD偏置解决方案

雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個信號調理放大器,但並不是完全獨立。它仍舊需要重要的支持電路,包括一個高電壓、低噪聲電源和一個用於指示信號強度的精準電流監視器<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130522164034G1.jpg" style="width

RF前置放大电路基础知识

<p>   RF前置放大电路即读取光碟片射频信号的放大电路.其放大电路性能的好坏会直接影响到DVD-ROM产品性能的好坏.其主要功能如下:</p> <p>   (1)对镭射二极体供电进行控制.并产生参考</p> <p>   电压.</p> <p>   (2)对从光感检测器输出的微弱电流信号转成</p> <p>   电压信号进行放大处理.<br /> <img alt="" src="h

ADI处理器实用丛书-高速设计技术

<p> 本书内容包括三大部分:第1 部分从运算放大器的基本概念和理论出发,重点介绍了运算放大器的原理与设计,以及在各种电子系统中的应用,包括视频应用、RF/IF 子系统(乘法器、调制器和混频器)等;第2 部分主要介绍了高速采样和高速ADC 及其应用、高速DAC 及其应用、以及DDS 系统与接收机子系统等;第3 部分介绍了有关高速硬件设计技术,如仿真、建模、原型、布局、去藕与接地,以及EMI 与R

调频调制度监视仪/监视器/分析仪

该款立体声调制度监视仪/分析仪可以保证FM发射记优质工作和 FM 电台保持在最大的调制电平或对发射机的性能进行检测。根据全美和国际标准,该款监视仪特设频率合成的RF预选器,可按50KHZ档预选频率。精确 的 基带解调,PLL 立体声信道解码,线性相位滤波器,为监视调制度电平和性能的检测提供了全面的方便的测试。多路音频输入可供检测和外接失真仪。该款仪器外接天线时可与低电平 RF输入端连接,也可经传输

ISM射频产品的晶体频率计算

<div> Abstract: Many industrial/scientific/medical (ISM) band radio frequency (RF) products use crystal oscillators to generate areference for the phase-locked loop (PLL)-based local oscillator (LO).

高线性度元件简化了直接转换接收器的设计

<div> 凌力爾特公司的 LT&reg;5575 直接轉換解調器實現了超卓線性度和噪聲性能的完美結合。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-1305221P025H1.jpg" style="width: 504px; height: 276px; " />

ADC噪声系数_一个经常被误解的参数

<p> &nbsp;</p> <div> 噪声系数(NF)是RF系统设计师常用的一个参数,它用于表征RF放大器、混频器等器件的噪声,并且被广泛用作无线电接收机设计的一个工具。许多优秀的通信和接收机设计教材都对噪声系数进行了详细的说明(例如参考文献1),本文重点讨论该参数在数据转换器中的应用。

使用负输入电压的单电源全差动放大器驱动ADC

<div> 单端双极输入信号的推荐电路如图 1 所示。Vs+ 是放大器的电源;负电源输入接地。VIN 为输入信号源,其表现为一个在接地电位(&plusmn;0 V)附近摆动的接地参考信号,从而形成一个双极信号。RG 和 RF 为放大器的主增益设置电阻。VOUT+和 VOUT- 为 ADC 的差动输出信号。它们的相位差为 180o,并且电平转换为VOCM。<br /> <br /> <img

小型化数字测频接收机

本文介绍了AD公司的RF/IF相位和幅度测量芯片AD8302,并以此芯片为核心,组合功分器、延迟线和FPGA芯片设计了瞬时测频接收机,改进了传统的设计方案。依照设计制作了测频系统,并对系统整体性能进行了测试,测试结果表明本系统可以准确测量1.4~2.0 GHz范围内的信号,测频精度为10 MHz。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/im

ADV7511 HDCP 1.1使能_禁用选项

<div> ADV7511 HDMI&reg;发送器支持HDCP 1.1特性;然而,业界对如何正确实现HDCP 1.1的某些特性,特别是增强链路验证(Pj校验),存在一些误解。由于对实现方法存在不同的解释,ADI公司给ADV7511增加了一个HDCP 1.1特性禁用选项。版本ID(主寄存器映射的寄存器0x00) 为0x14的ADV7511器件提供此选项。在以前版本的ADV7511中,如果接收器在

高速数据转换器评估平台(HSDCEP)用户指南评估

<div> 高速数据转换器评估平台(HSDCEP)是基于PC的平台,提供评估Maxim RF数/模转换器(RF-DAC,支持更新速率&ge; 1.5Gsps)和Maxim数字上变频器(DUC)的齐全工具。HSDCEP可以在每对数据引脚产生速率高达1.25Gbps的测试码型,支持多达4条并行16位LVDS总线。通过USB 2.0端口将最长64兆字(Mw)、每字16位宽的数据码型装载至HSDCEP存

高集成数字RF调制器解决方案

<div> Abstract: A digital RF modulator, an integrated solution that satisfies stringent DOCSIS RF-performancerequirements, takes advantage of modern technologies like high-performance wideband digita

DA转换接口的射频IQ调制

<p> &nbsp;</p> <div> Linear Technology&rsquo;s High Frequency Product lineupincludes a variety of RF I/Q modulators. The purpose ofthis application note is to illustrate the circuits requiredto inte

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/