STM32F407单片机开发板PDF原理图+AD集成封装库+主要器件技术手册资料:AD集成封装库列表：Library Component Count : 54Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24C256 AMS1117ATK-HC05 ATK-HC05BAT BEEP BUTTONC CAPCH340G USB2UARTDDB9 DHT11 数字温湿度传感器HEAD2HEAD2*22 HR911105 HS0038Header 16 Header, 16-PinHeader 2 Header, 2-PinHeader 2X2 Header, 2-Pin, Dual rowHeader 3X2 Header, 3-Pin, Dual rowHeader 4 Header, 4-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowIS62WV51216 JTAG KEY_M L LAN8720 ETH PHYLED2 Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDLSENS LIGHT SENSL_SOP MAX3232 MAX3485 MIC MOS-P IRLML6401/SI2301MP2359 DC DC Step Down ICMPU6050 9轴运动处理传感器NPN 8050/BCW846/BCW847NRF24L01 PHONE_M PNP 8550/BCW68POW R SMBJ TVSSN65HVD230D STM32F407ZET6 STM32F407ZET6TEST-POINT 测试点TFT_LCD TPAD ALIENTEK TPADUSB5USB_A_90 USB-A-90W25X16
上传时间： 2021-12-15
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黑金CYCLONE4 EP4CE6F17C8 FPGA开发板ALTIUM设计硬件工程（原理图+PCB+AD集成封装库）,Altium Designer 设计的工程文件，包括完整的原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你产品设计的参考。集成封装器件型号列表：Library Component Count : 50Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1117-3.3 24LC04B_0 4148 BAV99 CAP NP_Dup2CAP NP_Dup2_1 CAP NP_Dup2_2CP2102_0 C_Dup1 C_Dup1_1C_Dup2 C_Dup3 C_Dup4 C_Dup4_1 Circuit Breaker Circuit BreakerConnector 15 Receptacle Assembly, 15-Pin, Sim Line ConnectorDS1302_8SO EC EP4CE6F17C8 Cyclone IV Family FPGA, 2V Core, 179 I/O Pins, 2 PLLs, 256-Pin FBGA, Speed Grade 8, Commercial GradeEP4CE6F17C8_1 Cyclone IV Family FPGA, 2V Core, 179 I/O Pins, 2 PLLs, 256-Pin FBGA, Speed Grade 8, Commercial GradeFuse 2 FuseHEX6HY57651620/SO_0 Header 2 Header, 2-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowINDUCTOR JTAG-10_Dup1 KEYB LED LED_Dup1 M25P16-VMN3PB 16 Mb (x1) Automotive Serial NOR Flash Memory, 75 MHz, 2.7 to 3.6 V, 8-pin SO8 Narrow (MN), TubeMHDR2X20 Header, 20-Pin, Dual rowMiniUSBB OSCPNP R RESISTOR RN RN_Dup1 R_Dup1 R_Dup2 R_Dup3 R_Dup5R_Dup6 SD SPEAKERSRV05-4SW KEY-DPDT ZTAbattery
标签： 黑金 cyclone4 ep4ce6f17c8 fpga
上传时间： 2021-12-22
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基于DSP设计的数字化大功率电源数字化全桥变换器电源ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，包括主板和控制板2个硬件，均为4层板设计，ALTIUM设计的硬件工程文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的设计参考。主板原理图器件如下：Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模电感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP TransistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工业B/消费C/瓷片电容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引脚间距7.5mmR26020054 R26020054/工业A/消费C/快恢复二极管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工业A/消费B/肖特基二极管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工业B/肖特基二极管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫铜镀锡RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
标签： tms320f28035 dsp 全桥变换器
上传时间： 2021-12-22
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常用三极管Altium Designer AD原理图库元件库CSV text has been written to file : 6.2 - 三极管.csvLibrary Component Count : 23Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------44H11 互补功率-NPN型45H11 互补功率-PNP型8050-DIP 高频放大-NPN型8050-SMD 高频放大-NPN型8550-DIP 高频放大-PNP型8550-SMD 高频放大-PNP型9012-DIP 低频放大-PNP型9012-SMD 低频放大-PNP型9013-DIP 低频放大-NPN型9013-SMD 低频放大-NPN型9014-DIP 低噪放大-NPN型9014-SMD 低噪放大-NPN型9015-DIP 低噪放大-PNP型9015-SMD 低噪放大-PNP型B772-DIP 音频功放-PNP型B772-SMD 音频功放-PNP型BCXH6(BH) NPN型三极管D882-DIP 音频功放-NPN型D882-SMD 音频功放-NPN型MMBTA42 高压-NPN型MMBTA92 高压-PNP型TIP41C 互补功率-NPN型TIP42C 互补功率-PNP型
标签： 三极管 Altium Designer
上传时间： 2022-03-13
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低压差线性稳压器（Low Dropout Voltage Regulator，LDO）属于线性稳压器的一种，但由于其压差较低，相对于一般线性稳压器而言具有较高的转换效率。但在电路稳定性上有所下降，而且LDO有着较高的输出电阻，使得输出极点的位置会随着负载情况有很大关系。因此需要对LDO进行频率补偿来满足其环路稳定性要求。内容安排上第一节首先简单介绍各种线性稳压源的区别：第二节介绍LDO中的主要参数及设计中需要考虑折中的一些问题；第三节对LDO开环电路的三个模块，运放模块，PMOS模块和反馈模块进行简化的小信号分析，得出其传输函数并判断其零极点：第四节针对前面分析的三个LDO环路模块分别进行补偿考虑，并结合RT9193电路对三种补偿方法进行了仿真验证和解释说明。该电路主要包含基准电路以及相关启动电路，保护电路（OTP，OCP等），误差放大器，调整管（Pass Element）和电阻反馈网络。在电路上，通过连接到误差放大器反相输入端的分压电阻对输出电压进行采样，误差放大器的同相输入端连接到一个基准电压（Bandgap Reference），误差放大器会使得两个输入端电压基本相等，因此，可以通过控制调整管输出足够的负载电流以保证输出电压稳定。电路所采用的调整管不同，其Dropout电压不同。以前大多使用三极管来作为稳压源的调整管，常见的有NPN稳压源，PNP稳压源（LDO），准LDO稳压源，其调整管如图2所示，其Dorpout电压分别是：VoRop=2VBE+ Vsr-NPN稳压源VoRоP =VsurPNP稳压源（LDO）VDRoP=VE + Vsur-准LDO稳压源
上传时间： 2022-06-19
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of PNP transistor)
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
上传用户：wangshoupeng199
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大，电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点，如电流控制、导通压降小，功率容量大等，二者复合，正所谓优势互补。IGBT管子，或者1GBT模块的由来，即基于此。从结构上看，类似于我们都早已熟悉的复合放大管，输出管为一只PNP型三极管，而激励管是一只场效应管，后者的漏极电流形成了前者的基极电流。放大能力是两管之积。IGBT管子的等效电路及符号如下图：
上传时间： 2022-06-21
上传用户：jiabin
