纯硬件加速电路应用，有效节省单机片成本，高效可靠
上传时间： 2021-10-28
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电路主要包括以下七个单元电路：正弦波产生电路、正弦波放大及电平变换电路、峰值检测电路、增益控制电路、三角波产生电路、比较电路、低通滤波电路。正弦波产生电路采用文氏桥正弦波振荡电路，由放大电路、反馈电路（正反馈）、选频网络（和反馈电路一起）、稳幅电路构成，它的振荡频率为：f=1/(2Π*RC)，由R4和C1构成RC并联振荡，产生正弦波，与R5和C2构成选频网络，同时R5和C2又构成该电路的正反馈；稳幅电路是由该电路的负反馈构成，当振幅过大时，二极管导通，R3短路，Av=1+（R2+R3）/R1减小，振幅减小，反之Av=1+（R2+R3）/R1增大，振幅增大，达到稳幅效果，从而保证正弦波的正常产生。正弦波放大及电平变换电路由R10，R7分别与R15滑动电阻部分相连，通过滑动R15来分VCC和VEE的电压，通过放大器正相来抬高或降低正弦波来达到特定范围内的幅值，滑动电阻R6与地相连，又与放大器反相端相连，滑动R6分压来改变振幅，后又由R9和R8构成反馈来达到放大的效果，从而达到正弦波放大及电平变化的目的。峰值检测电路是由正弦波放大及电平变换电路产生的正弦波送入电压跟随器的正相端，通过两个反向二极管后再连电容，快速充放电达到峰值，然后再送回正弦波放大及电平变换电路的反相端，构成负反馈，达到增益稳幅控制效果三角波产生电路主要由两个NPN型三极管Q3Q4，一个PNP型三极管Q2，两个电容C3C4，两个非门，一个滑动电阻R16组成，通过充放电后经过非门产生三角波。比较电路产生的正弦波送入放大器的正相端，产生的三角波送入放大器的反相端，通过作差比较产SPWM波，后又经过由R22和C8组成的低通滤波电路，还原正弦波。
上传时间： 2021-10-30
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AC220V转DC(12V15W )电源板AD设计硬件原理图+PCB文件，2层板设计，大小为100*55mm, ALTIUM设计的原理图+PCB文件，可以做为你的学习设计参考。主要器件型号如下：Library Component Count : 24Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose Amplifier2N3906 PNP General Purpose AmplifierBRIDGE1 Diode BridgeCON2 ConnectorCap CapacitorCap Pol1 Polarized Capacitor (Radial)D Zener Zener DiodeDIODE Diode 1N914 High Conductance Fast DiodeECELECTRO2 Electrolytic CapacitorFP103 FUSE-HHeader 2 Header, 2-PinINDUCTOR2 NMOS-2 N-Channel Power MOSFETPC837 OptoisolatorRES2-B Res Varistor Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)T TR-2B TRANS1UCC28051 Volt Reg Voltage Regulator
上传时间： 2021-11-21
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STM32H750VBT6核心板 ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的设计参考，PCB 2层板设计，大小85MM*56MM, 带SD，DCMI,QSPI,外扩flash，以太网，RS485，CAN总线, 主要器件信号列表如下：Library Component Count : 29Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------AMS1117 三端稳压芯片BAT54C 表贴肖特基二极管C 无极性贴片电容CRYSTAL_32K CrystalCap CapacitorFPC0.5-24P 贴片FU 贴片保险丝HR911105Header 2 Header, 2-PinLLAN8720 ETH PHYLED Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDMAX3485PNP PNP三极管Pin HDR2X20 R 贴片电阻Res ResisterSN65HVD230D STM32H750VBT6 Socket SocketTCAP 钽电容TEST-POINT 测试点TSW 轻触开关USB type C W25Qxx 外置FlashXC6206-3.3 SOT-23,XC6206P332MR,MAX8V,100mAXTAL-4P 4脚无源晶振XTAL_3225 Crystal OscillatormicroSD
上传时间： 2021-11-24
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STM32F407单片机开发板PDF原理图+AD集成封装库+主要器件技术手册资料:AD集成封装库列表：Library Component Count : 54Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24C256 AMS1117ATK-HC05 ATK-HC05BAT BEEP BUTTONC CAPCH340G USB2UARTDDB9 DHT11 数字温湿度传感器HEAD2HEAD2*22 HR911105 HS0038Header 16 Header, 16-PinHeader 2 Header, 2-PinHeader 2X2 Header, 2-Pin, Dual rowHeader 3X2 Header, 3-Pin, Dual rowHeader 4 Header, 4-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowIS62WV51216 JTAG KEY_M L LAN8720 ETH PHYLED2 Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDLSENS LIGHT SENSL_SOP MAX3232 MAX3485 MIC MOS-P IRLML6401/SI2301MP2359 DC DC Step Down ICMPU6050 9轴运动处理传感器NPN 8050/BCW846/BCW847NRF24L01 PHONE_M PNP 8550/BCW68POW R SMBJ TVSSN65HVD230D STM32F407ZET6 STM32F407ZET6TEST-POINT 测试点TFT_LCD TPAD ALIENTEK TPADUSB5USB_A_90 USB-A-90W25X16
上传时间： 2021-12-15
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黑金CYCLONE4 EP4CE6F17C8 FPGA开发板ALTIUM设计硬件工程（原理图+PCB+AD集成封装库）,Altium Designer 设计的工程文件，包括完整的原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你产品设计的参考。集成封装器件型号列表：Library Component Count : 50Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1117-3.3 24LC04B_0 4148 BAV99 CAP NP_Dup2CAP NP_Dup2_1 CAP NP_Dup2_2CP2102_0 C_Dup1 C_Dup1_1C_Dup2 C_Dup3 C_Dup4 C_Dup4_1 Circuit Breaker Circuit BreakerConnector 15 Receptacle Assembly, 15-Pin, Sim Line ConnectorDS1302_8SO EC EP4CE6F17C8 Cyclone IV Family FPGA, 2V Core, 179 I/O Pins, 2 PLLs, 256-Pin FBGA, Speed Grade 8, Commercial GradeEP4CE6F17C8_1 Cyclone IV Family FPGA, 2V Core, 179 I/O Pins, 2 PLLs, 256-Pin FBGA, Speed Grade 8, Commercial GradeFuse 2 FuseHEX6HY57651620/SO_0 Header 2 Header, 2-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowINDUCTOR JTAG-10_Dup1 KEYB LED LED_Dup1 M25P16-VMN3PB 16 Mb (x1) Automotive Serial NOR Flash Memory, 75 MHz, 2.7 to 3.6 V, 8-pin SO8 Narrow (MN), TubeMHDR2X20 Header, 20-Pin, Dual rowMiniUSBB OSCPNP R RESISTOR RN RN_Dup1 R_Dup1 R_Dup2 R_Dup3 R_Dup5R_Dup6 SD SPEAKERSRV05-4SW KEY-DPDT ZTAbattery
标签： 黑金 cyclone4 ep4ce6f17c8 fpga
上传时间： 2021-12-22
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基于DSP设计的数字化大功率电源数字化全桥变换器电源ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，包括主板和控制板2个硬件，均为4层板设计，ALTIUM设计的硬件工程文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的设计参考。主板原理图器件如下：Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模电感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP TransistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工业B/消费C/瓷片电容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引脚间距7.5mmR26020054 R26020054/工业A/消费C/快恢复二极管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工业A/消费B/肖特基二极管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工业B/肖特基二极管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫铜镀锡RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
标签： tms320f28035 dsp 全桥变换器
上传时间： 2021-12-22
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常用三极管Altium Designer AD原理图库元件库CSV text has been written to file : 6.2 - 三极管.csvLibrary Component Count : 23Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------44H11 互补功率-NPN型45H11 互补功率-PNP型8050-DIP 高频放大-NPN型8050-SMD 高频放大-NPN型8550-DIP 高频放大-PNP型8550-SMD 高频放大-PNP型9012-DIP 低频放大-PNP型9012-SMD 低频放大-PNP型9013-DIP 低频放大-NPN型9013-SMD 低频放大-NPN型9014-DIP 低噪放大-NPN型9014-SMD 低噪放大-NPN型9015-DIP 低噪放大-PNP型9015-SMD 低噪放大-PNP型B772-DIP 音频功放-PNP型B772-SMD 音频功放-PNP型BCXH6(BH) NPN型三极管D882-DIP 音频功放-NPN型D882-SMD 音频功放-NPN型MMBTA42 高压-NPN型MMBTA92 高压-PNP型TIP41C 互补功率-NPN型TIP42C 互补功率-PNP型
标签： 三极管 Altium Designer
上传时间： 2022-03-13
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低压差线性稳压器（Low Dropout Voltage Regulator，LDO）属于线性稳压器的一种，但由于其压差较低，相对于一般线性稳压器而言具有较高的转换效率。但在电路稳定性上有所下降，而且LDO有着较高的输出电阻，使得输出极点的位置会随着负载情况有很大关系。因此需要对LDO进行频率补偿来满足其环路稳定性要求。内容安排上第一节首先简单介绍各种线性稳压源的区别：第二节介绍LDO中的主要参数及设计中需要考虑折中的一些问题；第三节对LDO开环电路的三个模块，运放模块，PMOS模块和反馈模块进行简化的小信号分析，得出其传输函数并判断其零极点：第四节针对前面分析的三个LDO环路模块分别进行补偿考虑，并结合RT9193电路对三种补偿方法进行了仿真验证和解释说明。该电路主要包含基准电路以及相关启动电路，保护电路（OTP，OCP等），误差放大器，调整管（Pass Element）和电阻反馈网络。在电路上，通过连接到误差放大器反相输入端的分压电阻对输出电压进行采样，误差放大器的同相输入端连接到一个基准电压（Bandgap Reference），误差放大器会使得两个输入端电压基本相等，因此，可以通过控制调整管输出足够的负载电流以保证输出电压稳定。电路所采用的调整管不同，其Dropout电压不同。以前大多使用三极管来作为稳压源的调整管，常见的有NPN稳压源，PNP稳压源（LDO），准LDO稳压源，其调整管如图2所示，其Dorpout电压分别是：VoRop=2VBE+ Vsr-NPN稳压源VoRоP =VsurPNP稳压源（LDO）VDRoP=VE + Vsur-准LDO稳压源
上传时间： 2022-06-19
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
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