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PN结技术是半导体器件的基础,广泛应用于二极管、晶体管等核心元件中。掌握PN结的工作原理对于理解现代电子设备至关重要。本页面汇集了134个精选PN相关资源,涵盖理论分析、设计实例及最新研究进展,旨在为电子工程师提供全面的学习资料和技术支持。无论是初学者还是经验丰富的专业人士,都能在这里找到提升技能所需的知识点。立即探索,开启您的半导体技术之旅!

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对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入E...

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