CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入E...
PN结技术资料
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PN结作为半导体技术的核心基础，是理解二极管、晶体管等电子元件工作原理的关键。通过本页面丰富的487个资源，您将深入了解PN结的形成机制、电流-电压特性及其在光电转换、信号处理等领域的广泛应用。无论是初学者还是经验丰富的工程师，这里都是深化知识、激发创新灵感的理想之地。立即访问，开启您的半导体技术探索之旅！
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基于三极管PN结温度特性的温度传感器制作
个人第一个作品——纪念这连日来奋战后的挫败...
固体电子器件
固体电子器件教材，对PN结、MOS、BJT进行了详细的论述，也对IC、光电子器件、高频、大功率器件进行了简单讲解...
stm32光敏二极管测光照度
光敏二极管（光敏电阻），作为光敏传感器，它对光的变化非常敏感。 光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的 PN 结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,...
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