我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB Layout时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
上传时间： 2013-10-21
上传用户：jjq719719
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标签： GUIDELINES LAYOUT 320 PCB
上传时间： 2013-10-10
上传用户：manga135
pcb layout时，可以参照这些资料，介绍PCB布线以及画PCB时的一些常用规则，画出一块优质的PCB，当然，按照实际需要，也可以自由变通这是一个完整的PCB Layout设计规则,文章从元器件的布局到元件排列,再到导线布线,以及线宽及间距这些,还有的是焊盘,都做了详细的分析以下是详细内容：
标签： pcb_layout 走线
上传时间： 2013-11-10
上传用户：cx111111
用CY8C24533设计的电动自行车原理图，PCB Layout.基本产品化的设计
上传时间： 2017-02-06
上传用户：海陆空653
AVRStudio帮助文件中文翻译打包下载。包含无线射频，手机电路，电视家电，信号处理，电源电路等电路图应有尽有。PCB使用教程，PCB使用技巧，PCB布线规则，PCB Layout经验资料丰富精彩。各类电子课件，电子教材，测量仪表，嵌入式技术，制造技术收藏资料。IC中文资料，IC datasheet,规则标准， 网上查不到，这里找的到。
上传时间： 2017-02-17
上传用户：JIUSHICHEN
主要介绍如何接地 在PCB Layout中 ，能帮助减低地之间的串扰。
标签： 良好的接地
上传时间： 2021-07-31
上传用户：浮鶴
ALIENTEK STM32H750核心板底板 PDF原理图+AD集成封装库+主要器件技术手册：集成封装库：3.5TFTLCD封装库.IntLibATK-4.3' TFTLCD电容触摸屏模块_V1.2.IntLibATK-4342 4.3寸RGB屏模块封装库.IntLibATK-7016&7084 7寸RGB屏模块封装库.IntLibATK-NEO-6M-V2.3.IntLibATK-OV2640摄像头模块.IntLibATK-OV5640摄像头模块封装库.IntLibATK-SIM900A GSM模块封装库.IntLibMP3模块封装库.IntLibOLED模块封装库.IntLibSTM32H750核心板封装库STM32H750核心板封装库.IntLibSTM32F750&H750底板封装库STM32F750&H750底板封装库.IntLib主要器件手册列表：3710FXXX037XXFX01.pdf3710MXXX046XXFX01.pdfAMS1117.pdfAP3216C.pdfAT24C02中文数据手册.pdfAT8574_8574A_DS001V1.2.pdfCH340.pdfDHT11.pdfDS1820.pdfDS18B20.pdfES8388-DS.pdfES8388应用电路设计及PCB-LAYOUT注意事项.pdfET2046.pdfGT811.pdfGT9147数据手册.pdfGT9147编程指南.pdfH27U4G8F2E(替代MT29F4G08).pdfICM20608 ProductSpec-V1.pdfICM20608 Register Map.pdfLAN8720A.pdfMD8002.pdfMP2144.pdfMP2359 AN.pdfMP2359.pdfMP3302_r0.98.pdfMT29F4G08ABADAWP.pdfnRF24L01P(新版无线模块控制IC).PDFOTT2001A IIC协议指导.pdfOTT2001A_V02.pdfOV2640.pdfOV2640_DS(1.6).pdfOV5640_CSP3_DS_2.01_Ruisipusheng.pdfOV7670.pdfOV7670_英文.pdfPAM3101DAB28.pdfPCF8574.pdfPCF8574中文手册.pdfRT9193.pdfSMBJ3.3-440_series.pdfSMBJ5.0ca.pdfSN74LVC1G00.pdfSP3232.pdfSP3485.pdfSTM32H750XBH6.pdfTJA1050.pdfW25Q256.pdfW25Q64JV.pdfW9825G6KH.pdfXPT2046.pdf
上传时间： 2021-12-15
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The PW4556 series of devices are highly integrated Li-Ion and Li-Pol linear chargers targetedat small capacity battery for portable applications. It is a complete constant-current/ constantvoltage linear charger. No external sense resistor is needed, and no blocking diode is required dueto the internal MOSFET architecture. It can deliver up to 300mA of charge current (using a goodthermal PCB Layout) with a final float voltage accuracy of ±1%. The charge voltage is fixed at 4.2V or4.35V, and the charge current can be programmed externally with a single resistor. The chargerfunction has high accuracy current and voltage regulation loops and charge termination
标签： pw4556
上传时间： 2022-02-11
上传用户：1208020161
The GL823K integrates a high speed 8051 microprocessor and a high efficiency hardware engine for the best data transfer performance between USB and flash card interfaces. Its pin assignment design fits to card sockets to provide easier PCB Layout. Inside the chip, it integrates 5V to 3.3V regulator, 3.3V to 1.8V regulator and power MOSFETs and it enables the function of on-chip clock source (OCCS) which means no external 12MHz XTAL is needed and that effectively reduces the total BOM cost.
上传时间： 2022-04-27
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顺芯CODEC应用电路设计及PCBLAYOUT注意事项
上传时间： 2022-07-19
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