N制式
共 30 篇文章
N制式 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 30 篇文章，持续更新中。
Brazo robotico
<span><span>Brazo Robotico versión 1</span></span>
反激变换器的变压器学习
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对反激变压器漏感的一些认识_漏感与气隙的大小关系不大。耦合系数随着气隙的增大而下降。气隙增大会引起效率降低是因为Ipk的增大，漏感能量增大。气隙增大会引起绕组损耗增大是因为气隙扩散损耗的增大。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111230151011N7.jpg" style="width: 17
凌力尔特数字系统的线性电路
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凌力尔特数字系统的线性电路—凌力尔特一直致力服务全球模拟产品用户，满足日益增长的严格模拟产品设计的需求。公司具有超强的创新能力，每年推出的新产品超过200款，该公司产品的应用领域包括电信、蜂窝电话、网络产品、笔记本电脑和台式电脑等等。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111231151
x电容和y电容介绍
X电容是指跨于L-N之间的电容器， Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
寄存器和环路滤波器的设计
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The MAX2870 ultra-wideband phase-locked loop (PLL) and voltagecontrol oscillator (VCO) can operate in both integer-N and fractional-Nmodes, similar to the Analog Devices ADF4350 wideband synthe
ADC的九个关键指标
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模拟转换器性能不只依赖分辨率规格</p>
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大量的模数转换器(ADC)使人们难以选择最适合某种特定应用的ADC器件。工程师们选择ADC时，通常只注重位数、信噪比(SNR)、谐波性能，但是其它规格也同样重要。本文将介绍ADC器件最易受到忽视的九项规格，并说明它们是如何影响ADC性能的。</p>
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1. SNR比分辨率更为重要。</
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失
用于定量表示ADC动态性能的常用指标有六个，分别是：SINAD(信纳比)、ENOB(有效位 数)、SNR(信噪比)、THD(总谐波失真)、THD + N(总谐波失真加噪声)和SFDR(无杂散动态 范围)
心电信号调理电路设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">心电（Electrocardiograph）作为人体重要的生理及病理指标之一，具有重要的医学研究价值。针对其信号微弱、频率低、阻抗高、随机性强及易受干扰
整流二极管参数（1N4001-1N4007）
整流二极管参数（1N4001-1N4007）
多制式数字视频信号转换电路的开发实践
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介绍了多制式数字视频信号转换电路的实验设计。其主要功能是对模拟视频信号进行解码和数字化，并作隔行／逐行转换、尺度变换、帧频转换等处理，同时为PDP整机提供行、场同步信号以及消隐和时钟信号等。
晶体管代换手册下载
<P>为使本书成为国内目前<BR> 最新、最全、最适用的晶体管<BR> 代换手册，编者根据国内外<BR> 出版的最新资料，在1992年<BR> 最新增订版的基础上，又增<BR> 加了数千种日本晶体管和数<BR> 千种欧州晶体管型号及其代<BR> 换的国内外型号，并且，还介<BR> 绍了美国1985年以前生产<BR> 的3N型场效应管及其代换<BR> 型号。<BR> 本手册介绍
开关稳压器电路的效率特性分析
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开关稳压器使用输出级，重复切换“开”和“关”状态，与能量存贮部件（电容器和感应器）一起产生输出电压。它的调整是通过根据输出电压的反馈样本来调整切换定时来实现的。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111231152A1N8.jpg" /></p>
MTK电路原理分析
MTK使用的是6229的BB芯片，Transeiver使用的是MT6140，PA为3159芯片。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12031414153N47.jpg" />
整流二极管参数1N5400G--1N5408G
整流二极管参数1N5400G--1N5408G
XAPP983-从 Flash存储器执行和调试软件
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This document and the associated reference design provide guidance for assigning anddebugging software to or in FLASH memory, specifically for a MicroBlaze™ embeddedprocessor design.<br /
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
非标准VGA-TV转换器的实现
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介绍了以AL128 芯片为核心设计的一种将非标准视频显示模式转换为标准电视视频制式的视频模式转换器。对该视频模式转换器的工作原理、硬件构成及设计思路等给以了详细的介绍。
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.c