MOSFET驱动保护电路设计
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使 其应用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET 驱动器的功耗及MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配;设计了基于IR2130 驱动模块的 MOSFET 驱动保护电路。该电...
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高速双MOSFET驱动器及在开关电源中应用...
RC吸收电路设计MOSFET吸收电路设计...
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构,进一步降低了导通电阻;同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装,改善了开关特性,使开关损耗可以降低35%左右。此次,针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果...