MOSFET+IGBT

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近年来，对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件，利用静态测试仪3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，扫描电子显微镜）、EDX（Energy...

2022-06-21 10 MOSFET+IGBT

1，Vs：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2，Poat：最大允许功耗在...

2022-06-21 8 MOSFET+IGBT

IGBT 的驱动条件驱动条件与 IGBT 的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和du／dt 引起的误触发等问题。

2023-12-05 6 MOSFET+IGBT