NEC 32位MCU V850系列产品介绍 32位MCU 的特点32位MCU 的分类32位MCU 内核介绍32位MCU 外设简介32位MCU 低功耗的设计32位MCU Website
上传时间： 2013-11-01
上传用户：小鹏
HT48 HT46 MCU与HT93LC46 EEPROM的通信文件编码：HA0003s介绍：HT93LC46EEPROM 是Holtek 制造的1K 位系列的EEPROM（电可擦除只读存储器），一般它用于微控制器的固定数据的存储。在本文中，我们将以Holtek 公司8 位微控制器为例，介绍该芯片常用的操作功能代码。用户只需把代码加到程序中，并且在使用HT93LC46 之前将引脚CS/SK/DI/DO连接即可。
上传时间： 2013-11-11
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NEC MCU在马达方面的应用 Agenda1、NEC MCU在马达应用方面的特点 1.1 NEC 8位MCU在马达应用方面的特点 1.2 NEC 16位MCU在马达应用方面的特点 1.3 NEC 32位MCU在马达应用方面的特点 2、NEC MCU在马达方面应用的方案3、总结
上传时间： 2013-11-09
上传用户：anng
8位MCU升级至32位MCU的设计方案 目前的MCU市场分为三个部分， 8位、16位和32位内核（4位内核MCU现在已相当少用，故在本次比较中将其忽略）。对于这三个部分中的每一个，其规模大体相同。传统上8位内核占最大的市场份额。根据一些分析人士报告，可能32位内核市场占有率已经超过了8位内核。即使目前尚未超过，时间也不会太长。32位内核市场份额是迄今为止增长最快的。8位内核和16位内核仍在增长，但在速度方面远不如32位内核（8位内核的增长速度仍快于16位内核）在很长的一段时间内， 很多人相信16位MCU可能会被8位MCU和32位MCU取代。目前的32位MCU器件采用最新技术制造（与8位内核和16为内核相比）。
上传时间： 2014-01-21
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NEC 32位MCU参考手册
上传时间： 2013-11-10
上传用户：wtrl
NEC 16位MCU参考手册 The 78K0R/IC3 is a 16-bit single-chip microcontroller that uses a 78K0R CPU core and incorporates peripheral functions, such as ROM/RAM, a multi-function timer, a multi-function serial interface, an A/D converter, a programmable gain amplifier (PGA), a comparator, a real-time counter, and a watchdog timer.
上传时间： 2013-11-02
上传用户：努力努力再努力
NEC 8位MCU参考手册
上传时间： 2013-11-16
上传用户：swz13842860183
NEC 32位MCU V850系列产品简介及应用 最高可达到：200Mhz工作频率432MIPS与8/16位MCU相比,NEC 32位MCU在相同频率下,可以提供至少快10 倍的指令执行速度 对于完成相同的应用,使用32位MCU可以比8/16位MCU的速度慢2/3或1/2,降低系统功耗 V850,V850ES,V850E1,V850E2 CPU的目标代码向前兼容
上传时间： 2013-11-18
上传用户：gxm2052
作为一种新的、最有潜力的光源，LED照明以其节能、环保的优势越来越受到人们重视。加上国家和地方政府的政策鼓励，我国的LED照明产业进入了加速发展阶段，运用市场迅速增长。在室内照明方面，用LED灯替代传统的可调光白炽灯或者卤素灯也将是大势所趋。由于传统的白炽灯调光器采用可控硅调光器，用LED灯替代白炽灯时，要求不能改变原有线路，还要能适应现有的可控硅调光器。针对这一目标市场，目前很多大的半导体厂商（包括国际知名半导体厂商）都已经推出了自己的LED调光ASIC，但由于LED固有的发光原理，目前市面上的LED ASIC调光案都还不是很成熟，都有其固有的问题，本文就将针对目前的调光方案做一个详细的分析，并介绍我们基于MCU的调光方案。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：comua
我公司生产的 USBkey 产品所使用的MCU 电路，自2007 年9 月初USBkey 产品开始量产化后，我们对其部分产品做了电老化试验，发现该款电路早期失效问题达不到我们要求，上电以后一段时间内失效率为千分之一点五左右。为此，我们从去年10 月到今年2 月对所生产的产品（已发出的除外）全部进行了电老化筛选，通过这项工作发现了一些规律性的东西，对提高电子产品的安全可靠性有一定指导意义。2 试验条件的设定造成电路早期失效的原因很多，从 IC 设计到半导体生产工艺、电路封装、焊接装配等生产工序和生产设备、生产材料、生产环境及人为的因素都有可能是成因，作为电路的使用方不可能都顾及到，也不可控。通过分析，我们认为还是着眼于该款电路在完成半导体生产工艺后，在后部加工中所产生的早期失效问题更有针对性。，因此决定从电路的后部加工工序即封装、COS 软件以及产品SMT 加工工艺等方面入手，安排几种比对试验并取得试验数据，以期找出失效原因。
上传时间： 2014-12-27
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