所设计的多频段小型化天线结构新颖，性能指标优越，与当前国内外研究的大多数同类天线相比保持较小体积，在多频、宽频工作频段上也保持较强的竞争力。其中所设iMonopole，780MHz-1010MHz和1630MHz3900MHz，在高频频段上的提升相当明显，与大多数同类天线相比提升超过100%，除了覆盖GSM，UMTS，LTE的频段外，还覆盖WiMAX的频段，为未来5G通信的多频段融合发展提供有力支撑；所设计多频段小型化PIFA天线，工作频段为680MHz980MHz和1665MHz-2755MHz，覆盖GSM，UMTS，LTE所需的所有频段，同时该天线的小型化指标忧异，其辐射贴片部分的尺寸仅为33mm x mm0.8mm，在当前国内外同类天线中具有相当强的竞争力。这两款天线结构简单，加工成本低，十分适用于5G移动通信移动终端中。最后，设计一款超宽带微带天线。所设计的超宽带微带天线利用新型倒置E型槽，获得了超宽带性能，工作频段覆盖27.6GHz-33.2GHz.采用新的债电方式一半圆渐进馈电，不仅可以改善天线的辐射特性，还能降低阻抗匹配的难度，进而一定程度上简化了天线的设计难度。在天线辐射贴片开有圆角矩形槽，大大的改善了天线的阻抗特性，进一步优化了天线的辐射特性，保证了天线在整个烦段内辐射方向图的稳定性。天线加工简单、成本低，非常适用于5G移动通信的大规模组网。
上传时间： 2022-06-20
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随着个人通信和移动通信技术在世界范围内的迅猛发展，人们对移动通信的服务质量要求也越来越高.WCDMA（Wideband Code Division Multiple Access）作为第三代移动通信系统的三大标准之一，因为具有优良的通信质量和较高的频谱利用率而被广泛应用.在WCDMA接收机中，射频前端电路占有重要的地位，其性能优劣直按影响着接收机的接收灵敏度以及后继信号处理部分的性能.因此，进行WCDMA射频电路的研究和设计具有重要的现实意义.天线和低噪声放大器（LNA）是射频（RF）接收机芯片的重要组成部分。本文在广泛查阅国内、外参考文献的基础上，对微带天线的宽频带技术和LNA的设计原理进行了深入地研究.综合多种宽频带技术，本文采用L形探针馈电与双E形槽贴片相结合的方法，提出了一款适合于WCDMA基站的宽频带微带天线结构。利用电磁仿真软件HFSS对该天线的性能进行了研究，研究了天线贴片尺寸对天线性能的影响。在此基础上，优化设计了适用于WCDMA基站的宽频带微带天线，并对其进行了加工、测试和分析，仿真和测试结果均表明，该天线-10dB回波损耗带宽为520MHz，天线在2GHz的增益为7.88dBi，满足WCDMA基站的要求.另外，本文还根据WCDMA基站对LNA性能的要求，利用仿真软件ADS（Advanced Design System）设计了一款高线性的两级平衡低噪声放大器，给出了电路原理图，并制作了版图，结果表明，该低噪声放大器在1.92GH2~1.98GHz频段增益不低于30dB，噪声系数小于1dB，满足WCDMA的要求，具有一定的实用价值。
上传时间： 2022-06-20
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研究了视线环境下毫米波降雨衰减和信号起伏效应，为分析多径环境对雨衰和雨致信号起伏效应的影响提供了“比较标准”。基于粒子散射吸收理论，简述了雨衰机理，并通过仿真分析了现有雨哀工程模型的局限性，进而提出了一种修正特征衰减模型参数的方法，基于ITU-R给出的35GHz模型参数对该修正方法进行了验证：根据随机介质波传播理论，研究了雨粒子散射引起的信号起伏效应。基于自主搭建的Ka波段信道哀落特性和降雨物理特征测量系统，分别在视线环境和多径环境下，开展了关于雨哀和雨致信号起伏特性的测量实验，根据仪器的测量原理，优化了实测雨滴谱的提取方法，并提出了基于实测雨滴谱修正weibul模型参数的方法，建立了适用于西安地区精确的南滴尺寸分布模型，进而结合等效介电常数理论修正了指数雨衰模型参数，比较了视线环境下修正模型的雨哀计算结果与实验测量结果，以验证所提出的模型参数修正方法的正确性和可行性。然而，将多径环境下降雨特征代入修正模型中，其计算和实验结果表明地形地物多径环境会“放大”雨衰和信号起伏深度。基于电波传播理论和等效均匀介质理论，建立了复合环境下的电波传播模型；在该模型基础上，推导出了地形地物多径传播环境影响下的降雨衰减模型和信号起伏统计特性模型：仿真和讨论了在典型地形地物多径环境下，典型降雨时间序列下的衰减和信号起伏效应，揭示了多径环境“放大”大气传输效应的机理，并与实验结果进行了比较，验证了该模型的有效性。本文研究方法对降雪、沙尘暴等恶劣天气环境和地形地物多径传播环境综合作用下毫米波传播特性的研究具有重要的指导意义，同时其研究成果对5G应用场景下亳米被信道建模，以及提高5G毫米波移动通信系统性能具有重要的应用价值。
上传时间： 2022-06-20
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移动通信网络由于带宽和技术的限制，远远不能满足人们不断高涨的无线上网需求。Wi-Fi作为无线接入技术MLAN的主流标准口益成熟，它能够随时随地高速连接到Internet，极大地满足了用户对无线上网需求，受到消费者的青睐。因而越来越多的移动终端都集成了Wi-Fi功能，Wi-Fi和蓝牙样成为移动终端的标配。随之而来的是wi-Fi和蓝牙都工作在2.4CHZz ISM频段而引发的互相 扰问题，导致数据吞吐量下降，语音质量恶化失真，极端状况下甚至导致链路断开而不能正常工作。因此，必须寻求有效的措施和方法，实现两种技术在近距离的和谐共存，这已成为非常迫切的技术需要，也成为人们研究的一个热点和难点。近距离WiFi和蓝牙互相1扰的问题，目前已经形成了非常多的有效解决机制，包括基于Wi-Fi的PTA（Packet Traffic Arbitration）、AWMA（Alternating Wireless Medium Access）和DSE（Deterministic Spectral Excision），其中PTA和AWMA机制在Wi-Fi側MAC层实现，通过协调Wi-Fi和蓝牙的帧发射时间来避免相互干扰：而DSE是在Wi-Fi侧物理层PHY实现，通过一个可编程带阻滤波器（Notch Filter）来阻止来白蓝牙的窄带干扰。还有基于蓝牙侧的AFH（Adaptive Frequency Hopping），它通过跳频，自动避开被干扰的频点，从而大大提高了蓝牙传输性能。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：zhanglei193
射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：shjgzh
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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5G，第五代移动通信技术，也是4G之后的延伸，目前正在研究中。目前还没有任何电信公司或标准订定组织（像3GPP，WiMAX论坛及ITU-R）的公开规格或官方文件有提到5G。按照业内初步估计，包括5G在内的未来无线移动网络业务能力的提升将在3个维度上同时进行：1）通过引入新的无线传输技术将资源利用率在4G的基础上提高10倍以上；2）通过引入新的体系结构（如超密集小区结构等）和更加深度的智能化能力将整个系统的吞吐率提高25倍左右；3）进一步挖掘新的频率资源（如高频段、毫米波与可见光等），使未来无线移动通信的频率资源扩展4倍左右.5G有以下特点：1）5G研究在推进技术变革的同时将更加注重用户体验，网络平均吞吐速率、传输时延以及对虚拟现实、3D、交互式游戏等新兴移动业务的支撑能力等将成为衡量5G系统性能的关键指标.2）与传统的移动通信系统理念不同，5G系统研究将不仅仅把点到点的物理层传输与信道编译码等经典技术作为核心目标，而是从更为广泛的多点、多用户、多天线、多小区协作组网作为突破的重点，力求在体系构架上寻求系统性能的大幅度提高.3）室内移动通信业务已占据应用的主导地位，5G室内无线覆盖性能及业务支撑能力将作为系统优先设计目标，从而改变传统移动通信系统“以大范围覆盖为主、兼顾室内"的设计理念.4）高频段频谱资源将更多地应用于5G移动通信系统，但由于受到高频段无线电波穿透能力的限制，无线与有线的融合、光载无线组网等技术将被更为普遍地应用.5）可“软”配置的5G无线网络将成为未来的重要研究方向，运营商可根据业务流量的动态变化实时调整网络资源，有效地降低网络运营的成本和能源的消耗.
上传时间： 2022-06-21
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第一章设计任务书一、设计题目：乒乓球比赛游戏机二、设计要求：1.设计一个甲、乙双方参赛，裁判参与的乒乓球比赛游戏模拟机。2.用8个发光二极管排成一条直线，以中点为界，两边各代表参赛双方的位置，其中点亮的发光二极管代表“乒乓球”的当前位置，点亮的发光二极管依次由左向右或由右向左移动。3.当球运动到某方的最后一位时，参赛者应立即按下自己一方的按钮，即表示击球，若击中，则“球”向相反方向运动，若未击中，则对方得1分。4.设置自动计分电路，双方各用二位数码管来显示计分，每局10分。到达10分时产生报警信号。如上图1所示，该电路主要由球台驱动电路，控制电路，计数器，显示译码器和LED数码管等组成。图中标出的各种信号的含义：CP表示球台驱动电路和计数器的时钟信号：S表示灯（乒乓球）移动的信号；L表示发光二极管驱动信号，由L1-L8组成；CNT表示计数器的计数脉冲信号，由CNTI，CNT2组||成；KA.KB表示开关控制的外输入发球、击球信号。二、总体思路描述如下：1.用两个74LS194四位双向移位寄存器模拟兵乓球台，其中第一个74LS194的DL输出端接第二个的|右移串行输入端，这样当兵乓球往右准备移出第一个寄存器的时候就会在时钟脉冲的作用下被移入第二个寄存器。同样道理，第二个74L5194的AR输出端接第一个的左移串行输入端。2.用D触发器及逻辑门电路构成驱动控制电路3.用计数器、逻辑门电路和集成的4管脚的数码管组成计分电路
上传时间： 2022-07-02
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本资源为2015全国电设E题报告——基于锁相环的简易频谱仪内含原理分析方案对比及原理图，下面是本资源的部分内容：本系统采用MSP430F5529为主控器件，采用锁相环频率合成芯片ADF4110、三阶RC低通滤波器和压控振荡芯片MAX2606实现稳定的本振源，产生本征频率在90MHz～110MHz的恒定正弦信号；采用乘法器AD835实现对输出信号幅度的调整；同样采用AD835实现被测信号与本征信号的混频，经过低通滤波得到混频后的低频量由单片机上的ADC进行采样，能在80MHz～100MHz频段内扫描并显示信号频谱和主信号频率，并且够测量全频段内部分杂散频率的个数。经测试，本系统实现了题目要求的全部功能，且人机交互友好。
上传时间： 2022-07-05
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NB86系列模块是基于HISILICON Hi2115的Boudica芯片开发的，该模块为全球领先的NB-IoT无线通信模块，符合3GPP标准，Hi2115芯片支持Band01，Band02，Band03，Band05、Band08、Band12，Band13，Band14，Band17，Band18，Band19，Band20、Band25，Band26，Band28，Band66频段，具有体积小、功耗低、传输距离远、抗干扰能力强等特点。使用该模块，可以方便客户快速、灵活的进行产品设计。本文档中提供的NB86代表NB86-G等系列型号的统称，表2-1为NB86-G模块支持的部分Band说明。
标签： NB-IoT
上传时间： 2022-07-11
上传用户：qingfengchizhu
