IGBT技术资料
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IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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一个基于51单片机的PFM型开关电源代码
一个基于51单片机的PFM型开关电源代码，用EXB840来驱动IGBT，1602显示开关频率，可以直接通过键盘输入频率，步进为0.5KHz。...
用PIC16F876A产生2路SPWM波
用PIC16F876A产生2路SPWM波，经GAL16V8变换成4路，在分别用A3120去推动IGBT,经过LC滤波最终得到50HZ的正弦波。...
随着CPU技术的发展
随着CPU技术的发展，更多的晶体管和更高的主频，都造成了CPU功率的飙升。Intel为了对付prescott核心，开始从多方面加强散热，比如38度机箱，比如BTX，比如9CM风扇的主流应用等，但同时也造成了噪声和灰尘的困扰。本文介绍的是以单片机为控制核心的机箱温监控系统的设计，可根据不同的CPU温度...
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