IGBT

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Me...

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本文以感应加热电源为研究对象，阐述了感应加热电源的基本原理及其发展趋势。对感应加热电源常用的两种拓扑结构-电流型逆变器和电压型逆变器做了比较分析，并分析了感应加热电源的各种调功方式。在对比几种功率调节方式的基础上，得出在整流侧调功有利于高频...

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igbt 电源
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摘要本文论述20KHZPWM（脉冲宽度调制）型大功率超声波发生器的原理和电路组成。PWM信号是由性能优越的TL494集成电路产生，高频逆变器采用国际先进的磁性材料和IGBT功率器件构成。逆变器将输出的高频电压送入超声波换能器，从而辐射出超声...

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PWM 高频逆变 超声换能器
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介绍了一种新型高性能高压IGBT集成驱动模块2SD315AI - 33 的管脚功能和工作原理,同时 还给出了该模块与同类产品相比的显著性能特点,介绍了2SD315AI - 33 在“双逆变器- 电机”能量 互馈式交流传动试验系统中的应用...

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igbt_igbt.dep
igbt_igbt_debug_inflash.dep
igbt_igbt_debug_software.dep
igbt.h
igbt模.pdf
igbt.lnp

IGBT技术资料简介

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

相关技术领域： igbt 电源 PWM 高频逆变 超声换能器 超声波发生器 MOSFET 11.3 SCR-MOS-GTR-IGBT 150 kHz