IGBT模块驱动及保护技术.pdf
IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位...
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(BipolarJunctionTransistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(Me...
IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位...
:在分析无吸收电路的IGBT 逆变器的基础上,研究了IGBT 逆变器的吸收问题;探讨了适合 IGBT 逆变器的几种吸收电路结构,并对其进行了仿真和实验验证。 Abstract :Based on the analysis of the ...
IGBT的驱动与保护电路研究:对电力电子功率器件IGBT的开关特性、驱动波形、功率、布线、隔离等方面的要求和保护方法进行了分析和讨论,介绍了IGBT的几种基本驱动电路和一种典型的集成驱动电路的应...
IGBT损耗计算和损耗模型研究:器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要。损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的IGBT损耗模...
这份基于IGBT的变频电源设计论文资料,深入探讨了如何利用IGBT技术实现高效、稳定的变频电源系统。内容详实,不仅涵盖了理论分析,还包括了实际电路设计与调试技巧,非常适合电子工程专业的学生作为毕业设计参考或工程师们在项目中遇到相关问题时查阅...