IC制造

共 37 篇文章
IC制造 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 37 篇文章,持续更新中。

三菱电机可视化整合制胜原动力

<P>目前,制造业所处的环境正在发生显著的变化。伴随着激烈的价格竞争与提高顾客满意度的需求,不仅需要提高生产力、提高质量、提高成品率,生产现场还需要能够应对迅速变化的措施。</P> <P>一直以来,三菱电机作为FA产品综合制造商,致力于提高机器、设备的功能和性能,为客户提供多样化的产品。而根据实际结果和经验找出生产现场中潜在的问题、并实施变革,这才是今后的使命。</P>

模拟cmos集成电路设计(design of analog

<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&

射频集成电路设计John Rogers(Radio Freq

<P>Radio Frequency Integrated Circuit Design</P> <P>I enjoyed reading this book for a number of reasons. One reason is that it<BR>addresses high-speed analog design in the context of microwave issues.

250种IC功放的电路图

集成电路图

4-20mA,0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器

iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等,可以将直流电压小信号进行隔离放大(u/u)输出或直接转换为直流电流(u /i)信号输出。较大的输入阻抗(&ge;1 m&omega;),较强的带负载能力(电流输出>650&omega;,电压输出&ge;2k&o

全球著名半导体厂家介绍

<p> 德州仪器(Texas Instruments),简称TI,是全球领先的半导体公司,为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理(DSP)及模拟器件技术。除半导体业务外,还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。TI总部位于美国得克萨斯州的达拉斯,并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.co

SMT之ROHS制程中的几个问题

摘要:随着电子产品全球采购,全球制造的发展,SMT制造业从2006年7月份起,除了航天业的电子装联还在慎重考虑外,都将要主动或被动地先后进入无铅化的电子组装时期.

便携式位置探测仪信号接收装置电路设计

<span id="LbZY">清管器在管道中运行时,其上的信号发射器发射出电磁脉冲信号,通过便携式位置探测仪上的信号接收装置接收信号,经过信号处理部分对信号进行解码、识别,最终将探测结果显示在液晶显示屏上。为了满足便携性的要求,探测仪采用低功耗设计,并大量使用贴片元件和功能集成的IC 。经过深入的理论研究和测试,制造出了试验样机,该样机圆满地完成了多种环境下的试验,并取得了良好的效果。<br /

铝电解电容器:详细介绍原理,应用,使用技巧

<P class=diarycontent style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LAYOUT-GRID-MODE: char; LINE-HEIGHT: 12pt; mso-pagination: none"><FONT size=3>铝电解电容器:详细介绍原理,应用,使用技巧<p></p></FONT></P> <P class=MsoNormal style="MARGIN

LT1017:Circuitry for Single Cell Operation

<p> &nbsp;</p> <div> Portable, battery-powered operation of electronic apparatushas become increasingly desirable. Medical, remotedata acquisition, power monitoring and other applicationsare good ca

High-Speed Digital System desi

前面讨论了很多内容,基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理,第三章探讨了串扰,在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题,我们已经做了一些探究,然而对于硅芯片,即处于封装内部的IC来说,其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行,对这样的情况我们该如何处理?在本章中,我们将通过对封装、过孔和连

ESD保护电路的设计

ESD 静电放电给你的电子产品带来致命的危害不仅降低了产品的可靠性增加了维修成本而且不符合欧洲共同体规定的工业标准EN61000-4-2 就会影响产品在欧洲的销售所以电子设备制造商通常会在电路设计的初期就考虑ESD 保护电路本文将讨论ESD保护电路的几种方法.<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-1202151002

4-20mA~0-5V两通道模拟信号隔离采集A D转换器

isoad系列产品实现传感器和主机之间的信号安全隔离和高精度数字采集与传输,广泛应用于rs-232/485总线工业自动化控制系统,4-20ma / 0-10v信号测量、监视和控制,小信号的测量以及工业现场信号隔离及长线传输等远程监控场合。通过软件的配置,可接入多种传感器类型,包括电流输出型、电压输出型、以及热电偶等等。 产品内部包括电源隔离,信号隔离、线性化,a/d转换和rs-485串行通信等模块

磁珠的原理及应用

<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求,电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂,单单依靠理论知识是完全不够的,它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题,还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋

MILMEGA新款EMC测试放大器

2010年4月13日, 专业设计和制造固态高功率宽带放大器的MILMEGA公司于2010年亚太区电磁兼容(APEMC)国际学术大会及展览会期间宣布推出一款新的放大器产品。该款产品主要针对商用EMC测试IEC 61000-4-3 标准(覆盖频率范围为80 MHz~1 GHz)。MILMEGA的这一新产品将给EMC测试领域带来革命性的突破。

模拟IC性能的权衡 模拟到数字化设计的挑战

<div> Abstract: Many digital devices incorporate analog circuits. For instance, microprocessors, applicationspecificintegrated circuits (ASICs), and field-programmable gate arrays (FPGAs) may have in

高等模拟集成电路

近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数

独特的IC BUFFER增强运算放大器设计

<p> <span style="color: rgb(26, 24, 24); font-family: Arial, Helvetica, sans-serif; line-height: 15px; ">This note describes some of the unique IC design techniques incorporated into a fast, monolith

校准复用器简化系统校准设计

<div> Abstract: IC switches and multiplexers are proliferating, thanks to near-continual progress in lowering the supply voltage,incorporating fault-protected inputs, clamping the output voltage, and

CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。<br /> 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区