Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
上传时间: 2013-11-23
上传用户:rocketrevenge
抑制△I 噪声一般需要从多方面着手, 但通过PCB 设计抑制△I 噪声是有效的措施之一。如何通过PCB 设计抑制△I 噪声是一个亟待深入研究的问题。在对△I 噪声的产生、特点、主要危害等研究的基础上, 讨论了辐射干扰机理, 重点结合PCB 和EMC 研究的新进展, 研究了抑制△I 噪声的PCB 设计方法。对通过PCB 设计抑制△I 噪声的研究与应用具有指导作用。
上传时间: 2014-12-24
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当你认为你已经掌握了PCB 走线的特征阻抗Z0,紧接着一份数据手册告诉你去设计一个特定的差分阻抗。令事情变得更困难的是,它说:“……因为两根走线之间的耦合可以降低有效阻抗,使用50Ω的设计规则来得到一个大约80Ω的差分阻抗!”这的确让人感到困惑!这篇文章向你展示什么是差分阻抗。除此之外,还讨论了为什么是这样,并且向你展示如何正确地计算它。 单线:图1(a)演示了一个典型的单根走线。其特征阻抗是Z0,其上流经的电流为i。沿线任意一点的电压为V=Z0*i( 根据欧姆定律)。一般情况,线对:图1(b)演示了一对走线。线1 具有特征阻抗Z11,与上文中Z0 一致,电流i1。线2具有类似的定义。当我们将线2 向线1 靠近时,线2 上的电流开始以比例常数k 耦合到线1 上。类似地,线1 的电流i1 开始以同样的比例常数耦合到线2 上。每根走线上任意一点的电压,还是根据欧姆定律,
标签: 差分阻抗
上传时间: 2013-10-20
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计一种基于Howland电流源电路的精密压控电流源,论述了该精密压控电流源的原理。该电路以V/I转换电路作为核心,Howland电流源做为误差补偿电路,进一步提高了电流源的精度,使绝对误差仿真值达到nA级,实际电路测量值绝对误差达到?滋A级,得到高精度的压控电流源。仿真和实验测试均证明该方案是可行的。
上传时间: 2014-12-24
上传用户:sklzzy
6 GEMS压力变送器3000系列-超高压变送器 GEMS压力变送器3000的行业应用: 船舶、工程机械 产品特点: ■工作压力可高达10,000PSI ■高精度-在整个应用过程中,精度在±0.15%之内 ■高稳定性-长期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震动性能-采用了薄膜溅射式设计,取消了易破的连接线 GEMS压力变送器3000的性能参数 精度 0.15%FS 重复性 0.03%FS 长期稳定性 0.06%F.S/年 压力范围 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐压 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂压力 7xFS 4xFS,对于10,000psi 疲劳寿命 108次满量程循环 零点公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,响应时间0.5毫秒 温度影响 温漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS压力变送器3000的环境参数 振动 正弦曲线,峰值70g,5~5000HZ(根据MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 电压输出 电路 见PDF文件(3线) 激励 高于满程电压1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小环路电阻 (FS输出/2)Kohms 供电灵敏度 0.01%FS/Volt 电流输出 电路 2线 环路供电电压 24VDC(7-35VDC) 输出 4-20mA 最大环路电阻 (Vs-7)x50Ω 供电灵敏度 0.01%FS/V 比率输出 输出 0.5v到4.5v(3线)@5VDC供电 输出激励电压 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS压力变送器3000的物理参数 壳体 IP65代码G(NEMA4);IP67代码F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不锈钢 电气连接 见订货指南 压力连接 1/4″NPT或G1/4 重量(约) 110g(电缆重量另加:75g/m) 机械震动 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的稳定加速度时1bar(15psi)量程变送器的输出会波动0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)时输出波动会按对数递减至0.0007%FS/g. 认证等级 CE
上传时间: 2013-10-09
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差动保护整定范例一: 三圈变压器参数如下表: 变压器容量Se 31500KVA 变压器接线方式 Yn,y,d11 变压器变比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV侧TA变比nTA 300/5 35KV侧TA变比nTA 1000/5 10KV侧TA变比nTA 2000/5 TA接线 外部变换方式 一次接线 10kV侧双分支 调压ΔU ±8×1.25% 电流互感器接线系数Kjx 当为Y接线时为1,当为Δ接线时为 区外三相最大短路电流 假设为1000A(此值需根据现场情况计算确定) 计算: 高压侧二次额定电流 中压侧二次额定电流 低压侧二次额定电流
上传时间: 2013-11-01
上传用户:edisonfather
1.前言 模块使用之前应注意如下的警告和注意事项。不正确的应用可能导致电击,模块损坏或着火的危险。请仔细阅读如下警告和注意事项:1.1警告:I. 不要触摸散热器和外壳,他们可能温度很高。II. 不要触摸输入端子或打开外壳触摸内部器件,他们可能存在高温或高压造成烫伤或电击。III. 当模块工作时,把你的手和脸远离模块,否则在模块异常时可能造成伤害。1.2注意事项:I. 请确认已按照使用说明书的要求正确连接输入输出管脚和信号管脚。II. 确保在模块的输入端连接一个快速熔断保险丝,以安全工作并满足安规要求。III. 模块电源属于元器件,安装和使用必须经专业设计人员进行设计。IV. 此系列模块电源属于一次变换,在应用中应注意符合安全规范。V. 模块的输入、输出端属于危险能量,必须保证终端用户不能接触到。设备制造商必须保证模块输出不易被服务工程师短路或工程师遗落的金属部件短路。VI. 应用电路和参数仅供参考,在完成应用电路设计之前必须对参数和电路进行验证。VII. 这篇文档的更改不能保证及时通知客户,在实际使用中,请注意最新的应用说明。
上传时间: 2013-11-17
上传用户:luke5347
嵌入式控制系统的MCU一般都需要一个稳定的工作电压才能可靠工作。而设计者多习惯采用线性稳压器件(如78xx系列三端稳压器件)作为电压调节和稳压器件来将较高的直流电压转变MCU所需的工作电压。这种线性稳压电源的线性调整工作方式在工作中会大的“热损失”(其值为V压降×I负荷),其工作效率仅为30%~50%[1]。加之工作在高粉尘等恶劣环境下往往将嵌入式工业控制系统置于密闭容器内的聚集也加剧了MCU的恶劣工况,从而使嵌入式控制系统的稳定性能变得更差。
上传时间: 2013-11-08
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针对模拟型频率/电流变送器在低频段存在精度差、响应速度慢的问题,提出了一种基于AT89S52单片机的频率/电流变送器设计方案,并完成了系统的软硬件设计。该系统主要由M/T法测频电路、D/A转换器、V/I转换电路、RS232通讯接口组成,能够对频率进行高精度测量,并将其转换成4-20 mA标准信号。实验证明,所设计的系统运行稳定,人机对话方便,在整个测量频段,系统响应快、精度高、无纹波,达到了设计要求。
上传时间: 2013-10-13
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自己在学校的时候做的一些单片机仿真实例和一些资料,希望对大家有些帮助
上传时间: 2013-11-08
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