N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓...
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I-V特性是电子元件性能分析的基础，广泛应用于半导体器件、太阳能电池及各类传感器的测试与评估中。通过精确测量电流-电压关系，工程师能够深入了解材料属性、优化电路设计并提升产品效能。本页面汇集了3889个精选I-V相关资源，包括实验数据、仿真模型和实用案例，为您的研发工作提供强有力的支持。立即探索，获取最新技术资料，加速项目进展！
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单片机应用系统抗干扰技术:第1章 电磁干扰控制基础. 1.1 电磁干扰的基本概念1 1.1.1 噪声与干扰1 1.1.2 电磁干扰的形成因素2 1.1.3 干扰的分类2 1.2 电磁兼容性3 1.2.1 电磁兼容性定义3 1.2.2 电磁兼容性设计3 1.2.3 电磁兼容性常用术...
分而治之方法还可以用于实现另一种完全不同的排序方法
分而治之方法还可以用于实现另一种完全不同的排序方法，这种排序法称为快速排序（quick sort）。在这种方法中， n 个元素被分成三段（组）：左段l e f t，右段r i g h t和中段m i d d l e。中段仅包含一个元素。左段中各元素都小于等于中段元素，右段中各元素都大于等于中段元素。...
本程序基于约瑟夫森结的RSJ模型
本程序基于约瑟夫森结的RSJ模型，对无微波辐照和微波辐照下约瑟夫森结的特性进行了数值计算求解，其中有微波辐照的RSJ模型求解采用了四阶龙格库塔方程函数，两种情况都给出了I-V特性曲线图（程序包中也附带），展现了量子化电压台阶。...
本简易网络导纳分析仪以C8051F020为控制和数据处理核心
本简易网络导纳分析仪以C8051F020为控制和数据处理核心，由正弦信号发生器模块、滤波和功率放大模块、I/V变换模块、导纳角测量模块、导纳模测量模块、键盘模块以及液晶显示模块组成。采用数字控制DDS芯片AD9851产生100Hz－10KHz正弦信号，经滤波和功率放大后驱动网络负载。从网络负载中提取...
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