采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
本程序是为51系列单片机开发的16*2型液晶模块驱动程序。该驱动程序包含两个文件，将C文件关联入工程，在调用文件前包含H文件即可。程序提供了简便实用的接口程序，具体使用方法参见文件注释。（本驱动程序在Keil C51开发环境中测试成功，并经过多次实践应用）。
上传时间： 2014-01-26
上传用户：wlcaption
函数 long StrToData(CString strData,int jz) 功能：字符串转为正整数值 [字符串可为2-16]任意进制数值字符串 返回：长整型数值 参数：strData 为将要转换的字符串 参数：jz 为字符串的进制 如： CString s s="FFA6" long data=StrToData(s,16) 则：data的值为：65446 用法：将StrToData.h和StrToData.cpp复制加入到您的工程里，在需要调用的函数中 加入#include "StrToData.h"即可调用
标签： strData StrToData CString long
上传时间： 2015-07-05
上传用户：佳期如梦
本书由知名的C++专家Matthew H．Austern执笔，引导你进入泛型编程思维模型，并将你带往此一模型的最重要成品：C++ Standard Template Library(STL)。本书揭示STL的奥秘，告诉你STL不仅仅是一组方便运用的容器类(container classes)。对于泛型组件和可交互作用的组件而言，STL是一个具备扩充能力的框架(framework)、 《泛型编程与STL》阐述了泛型编程的中心思想：concepts、modeling、refinement，并为你展示这些思想如何导出STL的基础概念：iterators、containers、function objects。循此路线，你可以把STL想像为一个由concepts(而非明确之functions或classes)组成的程序库：、你将学习其正式结构并因此获得其潜在威力所带来的完整优势。本书使你能够： ●以你自己的“可移植组件”及“可交互作用之泛型组件”扩充STL； ●产生一些算法，让它们和它们所处理之型别(types)及数据结构彻底划清界线； ●撰写更精致、更高效、更有效力的代码，可跨平台重复使用。
上传时间： 2014-01-06
上传用户：Avoid98
完成一个FIR数字滤波器的设计。要求： 1、 基于直接型和分布式两种算法。 2、 输入数据宽度为8位，输出数据宽度为16位。 3、 滤波器的阶数为16阶，抽头系数分别为h[0]=h[15]=0000，h[1]=h[14]=0065，h[2]=h[13]=018F，h[3]=h[12]=035A，h[4]=h[11]=0579，h[5]=h[10]=078E，h[6]=h[9]=0935，h[7]=h[8]=0A1F。
上传时间： 2013-11-28
上传用户：duoshen1989
利用AFEPack包求解变二次系数的椭圆型方程.在求解这个问题的过程中，先要把程序的结构进行整理，将变二次项系数的因素加进去 ，并使得其更加有利于复杂一些的问题的求解 。为此，我们使用一个类来管理这个求解的问 题，先写一个对这个类进行声明的头文件 EllipticEquation.h
上传时间： 2014-01-03
上传用户：大融融rr
此程序为本人编写的神经网络法设计1型FIR滤波器的程序，读者读此程序后，可以很深刻地理解如何用BP网络和LMS算法来设计滤波器。 只需更改程序中的H值，即可生成各种低通，高通，带通，带阻滤波器。程序运行结果可得到滤波器系数，幅频曲线和衰减曲线。 可通过更改迭代步长和误差极限来调整滤波器特性。
上传时间： 2013-12-25
上传用户：金宜
数据结构（严慰敏）配套纯c代码实验十 typedef int InfoType // 定义其它数据项的类型 typedef int KeyType // 定义RedType类型的关键字为整型 struct RedType // 记录类型(同c10-1.h) { KeyType key // 关键字项 InfoType otherinfo // 其它数据项 } typedef char KeysType // 定义关键字类型为字符型 #include"c1.h" #include"c10-3.h" void InitList(SLList &L,RedType D[],int n) { // 初始化静态链表L（把数组D中的数据存于L中） char c[MAX_NUM_OF_KEY],c1[MAX_NUM_OF_KEY] int i,j,max=D[0].key //
标签： typedef int InfoType KeyType
上传时间： 2016-03-03
上传用户：2404
值得参考Ucosii.h文件中对OS_TCB结构提的成员变量OSTCBDly的类型进行修改，改成INT16S型。 Os_core.c中，在OSInit函数中加入MinDelayTime初始化为0的语句，同时修改OSTimeTick函数
上传时间： 2016-05-04
上传用户：litianchu
摘要：以N沟道増强型场效应管为核心，基于H桥PWM控制原理，设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路，满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。关键词：N沟道增强型场效应管；H桥；PWM控制；电荷泵；功率放大；直流电机1引言长期以来，直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。特别随着计算机在控制领域，高开关频率、全控型第二代电力半导体器件（GTR、GTO、MOSFET.、IGBT等）的发展，以及脉宽调制（PWM直流调速技术的应用，直流电机得到广泛应用。为适应小型直流电机的使用需求，各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电路，构成基于微处理器控制的直流电机伺服系统。但是，专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限，不适合大功率直流电机驱动需求。因此采用N沟道増强型场效应管构建H桥，实现大功率直流电机驱动控制。该驱动电路能够满足各种类型直流电机需求，并具有快速、精确、高效、低功耗等特点，可直接与微处理器接口，可应用PWM技术实现直流电机调速控制。2直流电机驱动控制电路总体结构直流电机驱动控制电路分为光电隔离电路、电机驱动逻辑电路、驱动信号放大电路、电荷泵路、H桥功率驱动电路等四部分，其电路框图如图1所示。由图可以看出，电机驱动控制电路的外围接口简单。其主要控制信号有电机运转方向信号Dir电机调速信号PWM及电机制动信号 Brake，vcc为驱动逻辑电路部分提供电源，Vm为电机电源电压，M+、M-为直流电机接口。
上传时间： 2022-04-10
上传用户：jiabin
