GaN-FET
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44
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182
GaN-FET 热门资料
查看全部 44 份 →Si衬底GaN基材料及器件的研究
GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且...
2022-11-19
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如何保护集成FET的电源开关
Abstract: Some types of loads require more current during startup than when running. Other loads can be limited to a low...
2013-10-23
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GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计
本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片...
2022-06-25
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基于GaN器件射频功率放大电路的设计
本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配...
2022-06-20
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Intersil集成FET稳压器针对5V至70V VIN应用
Intersil的ISL65426双通道同步降压稳压器具备用户可配置电源区块，如此可快述设计FPGA、CPLD、核心处理器及ASIC等系统与电源重新配置。
2023-10-19
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